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公开(公告)号：CN113764204B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202111021177.6
申请日：2021-09-01
Applicant: 厦门理工学院
Abstract: 本发明公开一种钼酸锰/硫化镍核壳阵列结构电极材料及其制备方法。本发明采用以泡沫镍为基底，通过两次水热法在泡沫镍上原位生长钼酸锰/硫化镍核壳阵列结构电极材料。第一步水热在泡沫镍上原位生长钼酸锰纳米片作为核，第二步水热在钼酸锰纳米片阵列表面负载硫化镍纳米球作为壳。该电极材料的核壳结构增大了有效比表面积并增加了电化学反应活性位点，较高的有效比表面积在电荷存储过程中为电极/电解质界面处的离子扩散和电子传输提供更多的通道，构建的核壳结构充分发挥钼酸锰和硫化镍之间的协同效应，同时原位生长的钼酸锰/硫化镍电极材料与泡沫镍之间的接触电阻很小，有效的提高钼酸锰/硫化镍电极材料的电化学性能。
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公开(公告)号：CN113764204A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202111021177.6
申请日：2021-09-01
Applicant: 厦门理工学院
Abstract: 本发明公开一种钼酸锰/硫化镍核壳阵列结构电极材料及其制备方法。本发明采用以泡沫镍为基底，通过两次水热法在泡沫镍上原位生长钼酸锰/硫化镍核壳阵列结构电极材料。第一步水热在泡沫镍上原位生长钼酸锰纳米片作为核，第二步水热在钼酸锰纳米片阵列表面负载硫化镍纳米球作为壳。该电极材料的核壳结构增大了有效比表面积并增加了电化学反应活性位点，较高的有效比表面积在电荷存储过程中为电极/电解质界面处的离子扩散和电子传输提供更多的通道，构建的核壳结构充分发挥钼酸锰和硫化镍之间的协同效应，同时原位生长的钼酸锰/硫化镍电极材料与泡沫镍之间的接触电阻很小，有效的提高钼酸锰/硫化镍电极材料的电化学性能。
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