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公开(公告)号：CN111696698A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010574702.6
申请日：2020-06-22
Applicant: 厦门理工学院
Abstract: 本发明公开一种氧化镓肖特基同位素电池及其制备方法，属于微能源领域。该同位素电池，包括从下至上依次连接的蓝宝石衬底、Ga2O3薄膜缓冲层、n型Ga2O3层、肖特基金属层和放射性同位素层，还包括欧姆接触层，欧姆接触层连接于n型Ga2O3层上表面且与肖特基金属层无接触的分布于肖特基金属层的外围。该电池的制备步骤是：在蓝宝石衬底上磁控溅射Ga2O3薄膜缓冲层；在Ga2O3薄膜缓冲层上外延生长n型Ga2O3层；对n型Ga2O3层通过两次光刻在n型Ga2O3层表面分别沉积出肖特基金属层和欧姆接触层；在肖特基金属层上电镀或化学镀上放射性同位素层来构成同位素电池。本发明的氧化镓肖特基同位素电池具有强抗辐射能力和高的辐射能-电能转换效率。
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