公开(公告)号：CN108193230B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201711485380.2

申请日：2017-12-29

Applicant: 厦门理工学院

Inventor： 胡艳玲 ,  徐桂焰 ,  柏天程 ,  朱玉琴 ,  黄家亮 ,  纪华羽 ,  杨豪斌

IPC: C25B11/06 ,  C25B1/04 ,  B01J27/24 ,  B01J37/02

CPC classification number: Y02E60/366

Abstract: 一种钽衬底上生长InxGa1‑xN纳米线的光电极，包括Ta衬底、中间层和InxGa1‑xN纳米线层，其中，x＝0.05～0.5。中间层包括Ta氮化物，且构筑于所述Ta衬底与所述InxGa1‑xN纳米线层之间，与InxGa1‑xN纳米线层的能级匹配。通过阳极氧化法结合高温氨化法对钽片进行前处理，形成中间层，然后采用VLS‑CVD法，在处理后的钽片上生长InxGa1‑xN纳米线。本发明设计了Ta/(Ta2N/TaN/Ta3N5)/InxGa1‑xN纳米线结构的光电极，构筑了能级匹配的中间层，大幅度提高光催化分解水制氢和光催化降解水中有机污染物效率，且方法简单，在解决能源和环境问题方面有着重要的应用前景。

公开(公告)号：CN108193230A

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201711485380.2

申请日：2017-12-29

Applicant: 厦门理工学院

Inventor： 胡艳玲 ,  徐桂焰 ,  柏天程 ,  朱玉琴 ,  黄家亮 ,  纪华羽 ,  杨豪斌

IPC: C25B11/06 ,  C25B1/04 ,  B01J27/24 ,  B01J37/02

CPC classification number: Y02E60/366 ,  C25B11/0405 ,  B01J27/24 ,  B01J35/0033 ,  B01J35/004 ,  B01J37/0226 ,  C25B1/003 ,  C25B1/04 ,  C25B11/0447 ,  C25B11/0478

Abstract: 一种钽衬底上生长InxGa1-xN纳米线的光电极，包括Ta衬底、中间层和InxGa1-xNN纳米线层，其中，x＝0.05～0.5。中间层包括Ta氮化物，且构筑于所述Ta衬底与所述InxGa1-xN纳米线层之间，与InxGa1-xN纳米线层的能级匹配。通过阳极氧化法结合高温氨化法对钽片进行前处理，形成中间层，然后采用VLS-CVD法，在处理后的钽片上生长InxGa1-xN纳米线。本发明设计了Ta/(Ta2N/TaN/Ta3N5)/InxGa1-xN纳米线结构的光电极，构筑了能级匹配的中间层，大幅度提高光催化分解水制氢和光催化降解水中有机污染物效率，且方法简单，在解决能源和环境问题方面有着重要的应用前景。

公开(公告)号：CN105289694B

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201510876332.0

申请日：2015-12-03

Applicant: 厦门理工学院

Inventor： 胡艳玲 ,  郑贤庭 ,  杨豪斌 ,  徐桂焰 ,  林楠 ,  杨游煌 ,  陈国滨

IPC: B01J27/24

Abstract: 本发明公开了一种ZnO/ZnGaNO两相复合结构光催化粉末的制备方法。利用降低pH值的共沉积法在水溶液中制备含Zn离子和Ga离子的氢氧化物前驱体，然后将前驱体在高温下氮化，可得到内部为ZnO纳米片、表面为ZnGaNO固溶体纳米颗粒的复合结构粉末。该粉末在可见光下对亚甲基蓝水溶液的光催化降解效率高，脱色能力强。本发明的工艺简单、成本低、适合规模化生产。