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公开(公告)号:CN115938679A
公开(公告)日:2023-04-07
申请号:CN202211581421.9
申请日:2022-12-09
Applicant: 厦门理工学院
Abstract: 本发明提供一种氮化镓纳米线/石墨烯复合材料及其制备方法、杀菌装置,包括:提供一衬底,并在该衬底的正反两面均形成一层金膜;以乙酰丙酮镓为前驱体,利用气液固‑化学气相沉积法在衬底上生长氮化镓纳米线,然后以甲烷为前驱体,利用化学气相沉积法在衬底以及氮化镓纳米线的外表面沉积石墨烯薄膜,得到氮化镓纳米线/石墨烯复合材料。本发明在氮化镓纳米线电极表面原位生长石墨烯薄膜,从而能够提高氮化镓纳米线电极的导电性。此外,石墨烯还具有高拉伸强度,石墨烯薄膜还可以增强氮化镓纳米线与衬底的结合力,从而提高电极的抗水流和空气的冲击能力。该复合材料可作为电极并在光、电协同作用下实现流动水体和空气的有效杀菌消毒。
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公开(公告)号:CN117886280A
公开(公告)日:2024-04-16
申请号:CN202311826522.2
申请日:2023-12-27
Applicant: 厦门理工学院
IPC: C01B21/06 , C01G9/02 , C02F1/30 , C02F1/72 , C02F101/30 , C02F101/34 , C02F101/36 , C02F101/38
Abstract: 本发明提供了一种GaN:ZnO固溶体材料的新型表面处理方法,包括:准备GaN:ZnO固溶体材料;利用三卤化膦离子液体浸泡所述GaN:ZnO固溶体材料;将浸泡后的所述GaN:ZnO固溶体材料在无水乙醇中清洗离心后烘干;将烘干后的材料在空气中做退火处理。本发明还提供了一种GaN:ZnO固溶体材料及其应用,本发明利用三卤化膦离子液体(ionic liquid,IL)浸泡GaN:ZnO固溶体材料,去除GaN:ZnO固溶体材料表面的金属镓,同时不会破坏GaN:ZnO固溶体的成分和结构,只是在GaN:ZnO固溶体材料表面获得高浓度的氧空位VO和氮空位VN,表面空位分别储存电子和空穴,与氧气分子和水分子反应形成大量的表面吸附态超氧根O2和羟基OH,实验表明在暗态下和可见光下均能实现水体里的染料降解和微生物消杀。
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