公开(公告)号：CN111455339B

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202010441415.8

申请日：2020-05-22

Applicant: 厦门市计量检定测试院

Inventor： 康品春 ,  冯国进 ,  柴忻 ,  章俞之 ,  蒋淑恋 ,  郑鹏 ,  阮育娇 ,  周萍 ,  崔潼 ,  黄艺滨

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/18 ,  C23C16/26 ,  C01B32/16 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种垂直碳纳米管阵列的制备方法，包括以下步骤：(1)于基体表面依次镀上缓冲层和催化剂层，所述缓冲层为Al2O3膜层，所述催化剂层为铁膜层、钴膜层或镍膜层；(2)将镀有缓冲层和催化剂层的基体置于化学气相沉积反应腔体中，通入碳源，于650‑900℃条件下进行反应，直至在催化剂层表面析出并形成所述垂直碳纳米管阵列。本发明的垂直碳纳米管阵列的制备方法工艺难度较小，可达到进行生长垂直碳纳米管阵列的要求，设计数十微米的VACNTs可达到理想的超黑高吸收效果。

公开(公告)号：CN111455339A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010441415.8

申请日：2020-05-22

Applicant: 厦门市计量检定测试院

Inventor： 康品春 ,  冯国进 ,  柴忻 ,  章俞之 ,  蒋淑恋 ,  郑鹏 ,  阮育娇 ,  周萍 ,  崔潼 ,  黄艺滨

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/18 ,  C23C16/26 ,  C01B32/16 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种垂直碳纳米管阵列的制备方法，包括以下步骤：(1)于基体表面依次镀上缓冲层和催化剂层，所述缓冲层为Al2O3膜层，所述催化剂层为铁膜层、钴膜层或镍膜层；(2)将镀有缓冲层和催化剂层的基体置于化学气相沉积反应腔体中，通入碳源，于650-900℃条件下进行反应，直至在催化剂层表面析出并形成所述垂直碳纳米管阵列。本发明的垂直碳纳米管阵列的制备方法工艺难度较小，可达到进行生长垂直碳纳米管阵列的要求，设计数十微米的VACNTs可达到理想的超黑高吸收效果。

公开(公告)号：CN212559473U

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN202020882465.5

申请日：2020-05-22

Applicant: 厦门市计量检定测试院

Inventor： 康品春 ,  冯国进 ,  柴忻 ,  章俞之 ,  蒋淑恋 ,  郑鹏 ,  阮育娇 ,  周萍 ,  崔潼 ,  黄艺滨

IPC: C01B32/162 ,  C23C14/08 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C16/26 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本实用新型涉及一种垂直碳纳米管阵列，包括由下至上依次设置的基体层、缓冲层和催化剂层，所述基体层为硅层，所述缓冲层为Al2O3膜层，所述催化剂层为铁膜层、钴膜层或镍膜层；所述基体层的厚度为725±5μm，所述缓冲层的厚度为16.72±5nm，所述催化剂层的厚度为2.62±5nm。本实用新型的垂直碳纳米管阵列，通过层级以及层级厚度的设计，其缓冲层和催化剂层的薄膜厚度达到了纳米级，使得设计数十微米的VACNTs即可达到理想的超黑高吸收效果。

公开(公告)号：CN212770940U

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN202021265099.5

申请日：2020-07-01

Applicant: 厦门市计量检定测试院

Inventor： 康品春 ,  冯国进 ,  柴忻 ,  章俞之 ,  蒋淑恋 ,  郑鹏 ,  阮育娇 ,  周萍 ,  黄艺滨 ,  崔潼

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/44

Abstract: 本实用新型公开了一种气相沉积装置，包括进气总管、反应管、加热机构、支撑台和用于输送常温保护气的水相冷却进气机构；加热机构装设于支撑台上，反应管穿过加热机构设置；反应管的进气端与进气总管连通，反应管的出气端与一排气机构可拆卸连接，以使被催化样品能够从反应管的出气端置入反应管中；进气总管远离反应管的一端分别通过第一进气管、第二进气管和第三进气管与不同的气体输送机构连通，分别用于为反应管输送碳源气体、还原性气体和保护气；水相冷却进气机构与进气总管连通；水相冷却进气机构的出气端位于第三进气管与反应管间，水相冷却进气机构的进气端位于进气总管下方。本实用新型可提高碳纳米管的强度。