公开(公告)号：CN113820894B

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202111000778.9

申请日：2021-08-30

Applicant: 厦门天马微电子有限公司

Inventor： 沈宏勋 ,  刘剑 ,  王志杰 ,  赖国昌

IPC: G02F1/1362 ,  G03F1/70

Abstract: 本申请实施例提供一种阵列基板、掩膜板、有源结构制备方法及显示面板，所述阵列基板包括显示区，设置多个经过沟道掺杂后的第一有源结构；非显示区，位于所述显示区至少一侧，所述非显示区设置多个经过沟道掺杂后的第二有源结构，其中，所述第一有源结构的掺杂率大于所述第二有源结构的掺杂率。第一有源结构为重度掺杂区，能够形成高迁移率的有源层，增加阈值电压，使显示区具有高分辨率、高开口率、高反应速度和低功耗等优点，以匹配显示面板的高频需求，同时第二有源结构为轻度掺杂区，可以提高非显示区的导通电流，从而增强像素充电能力。

公开(公告)号：CN113820894A

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202111000778.9

申请日：2021-08-30

Applicant: 厦门天马微电子有限公司

Inventor： 沈宏勋 ,  刘剑 ,  王志杰 ,  赖国昌

IPC: G02F1/1362 ,  G03F1/70

Abstract: 本申请实施例提供一种阵列基板、掩膜板、有源结构制备方法及显示面板，所述阵列基板包括显示区，设置多个经过沟道掺杂后的第一有源结构；非显示区，位于所述显示区至少一侧，所述非显示区设置多个经过沟道掺杂后的第二有源结构，其中，所述第一有源结构的掺杂率大于所述第二有源结构的掺杂率。第一有源结构为重度掺杂区，能够形成高迁移率的有源层，增加阈值电压，使显示区具有高分辨率、高开口率、高反应速度和低功耗等优点，以匹配显示面板的高频需求，同时第二有源结构为轻度掺杂区，可以提高非显示区的导通电流，从而增强像素充电能力。