公开(公告)号：CN114014258B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202111240171.8

申请日：2021-10-25

Applicant: 厦门大学九江研究院

Inventor： 沈舒婷 ,  高稔现 ,  沈少鑫 ,  杨志林

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种三维非对称金属‑介质功能纳米阵列结构的制备方法，该制备方法包括以下步骤：S1在样品硅片上制备聚苯乙烯小球阵列；S2刻蚀聚苯乙烯小球阵列；S3刻蚀样品硅片；S4倾斜镀金属膜；S5揭去聚苯乙烯小球。该制备方法能够解决现有纳米结构加工领域中三维结构难以大面积制备且制备流程复杂的问题，从而达到便于大面积制备，制备产品均匀性好、多参数可调，制备的结构有着显著的表面等离激元光放大及非线性增强效应，SHG信号相较于其对称结构的SHG信号增强可达五倍左右，并具有优异的偏振依赖特性，制备成本低廉，且采用硅片为样品基底，为未来运用于微电子行业产业化提供了可能的目的。

公开(公告)号：CN114014258A

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202111240171.8

申请日：2021-10-25

Applicant: 厦门大学九江研究院

Inventor： 沈舒婷 ,  高稔现 ,  沈少鑫 ,  杨志林

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种三维非对称金属‑介质功能纳米阵列结构的制备方法，该制备方法包括以下步骤：S1在样品硅片上制备聚苯乙烯小球阵列；S2刻蚀聚苯乙烯小球阵列；S3刻蚀样品硅片；S4倾斜镀金属膜；S5揭去聚苯乙烯小球。该制备方法能够解决现有纳米结构加工领域中三维结构难以大面积制备且制备流程复杂的问题，从而达到便于大面积制备，制备产品均匀性好、多参数可调，制备的结构有着显著的表面等离激元光放大及非线性增强效应，SHG信号相较于其对称结构的SHG信号增强可达五倍左右，并具有优异的偏振依赖特性，制备成本低廉，且采用硅片为样品基底，为未来运用于微电子行业产业化提供了可能的目的。