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公开(公告)号：CN115445247A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211290795.5
申请日：2022-10-21
IPC: B01D17/022
Abstract: 一种可装载石墨烯气凝胶油水分离装置，其特征在于涉及油水分离装置。设有外套筒、内套筒、上滤板、下滤板、压杆、弹簧、压板、石墨烯气凝胶、挂扣；所述内套筒设有外套筒内，外套筒不区分上下，内套筒上部为进水口，内套筒下部为出水口；在进水口方向，上滤板与内套筒的顶部相连；压杆的杆体底部设有压板，上滤板上设有可供压杆的杆体穿过的孔；弹簧套设在压杆的杆体上；内套筒顶部外沿设有L形挂扣，L形挂扣用于将内套筒固定在外套筒上；下滤板与内套筒的底部连接；石墨烯气凝胶放置于下滤板上方与压板下的中间。利用当前吸油能力最强的石墨烯气凝胶对油污进行吸附回收，操作简便。适于在管道等封闭场景下进行使用，可循环，低成本。
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公开(公告)号：CN115558241B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202211265242.4
申请日：2022-10-17
Abstract: 一种高导热碳纤维织物复合材料及其制备方法，按质量比计包括以下原料：碳纤维织物35％～60％，聚合物基体10％～45％，导热短切碳纤维5％～35％，固化剂5％～40％，成膜剂5％～15％。本发明通过机械搅拌，使导热短切碳纤维均匀、稳定分散于聚乙烯醇溶液中。导热短切碳纤维溶液置于磁场下，由于朗道抗磁性，使其在磁场中旋转，由高能态向低能态转换，直至导热短切碳纤维轴平行于外加磁场方向，能量达到最低态，实现导热短切碳纤维在聚乙烯醇溶液定向排列；真空抽滤使导热短切碳纤维垂直植入碳纤维织物中，充分利用导热短切碳纤维轴向高热导率特性，通过植入垂直定向排列导热短切碳纤维，提升碳纤维织物复合材料厚度方向导热性能。
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公开(公告)号：CN115558241A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211265242.4
申请日：2022-10-17
Abstract: 一种高导热碳纤维织物复合材料及其制备方法，按质量比计包括以下原料：碳纤维织物35％～60％，聚合物基体10％～45％，导热短切碳纤维5％～35％，固化剂5％～40％，成膜剂5％～15％。本发明通过机械搅拌，使导热短切碳纤维均匀、稳定分散于聚乙烯醇溶液中。导热短切碳纤维溶液置于磁场下，由于朗道抗磁性，使其在磁场中旋转，由高能态向低能态转换，直至导热短切碳纤维轴平行于外加磁场方向，能量达到最低态，实现导热短切碳纤维在聚乙烯醇溶液定向排列；真空抽滤使导热短切碳纤维垂直植入碳纤维织物中，充分利用导热短切碳纤维轴向高热导率特性，通过植入垂直定向排列导热短切碳纤维，提升碳纤维织物复合材料厚度方向导热性能。
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公开(公告)号：CN222093904U
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202420525359.X
申请日：2024-03-19
Applicant: 厦门大学九江研究院
IPC: B05D3/06
Abstract: 本实用新型公开了一种紫外固化设备光源强度的监控装置，包括柜体、柜门和工控机，柜体内架设有紫外LED灯管和导线，紫外LED灯管上方设有风扇，柜体内的底部为载物台，载物台的四个角落设有四个紫外光电探测器，柜体与工控机显示器信号连接；通过安装于载物台角落处的四个紫外光电探测器，从而使其可识别柜体中的紫外光信号，有利于确保对紫外光源强度大小识别的准确性，在紫外LED灯管温度过高时，工控机会对风扇进行反馈，开启风扇对紫外LED灯管进行降温，并开启警报器进行警示，工控机显示器可显示监测到紫外LED灯管所发出紫外光信号的光源强度大小，在低于一定阈值时，工控机会自动开启警报器进行警示，进而达到紫外固化设备光源强度的监控效果。
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公开(公告)号：CN221927286U
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202420525363.6
申请日：2024-03-19
Applicant: 厦门大学九江研究院
Abstract: 本实用新型公开了一种紫外消毒设备光源强度和附近人群的监控装置，包括柜体和工控机显示器，柜体内设有电源和若干个低压汞灯，低压汞灯之间通过导线串联连接，柜体内不同的角落分别安装紫外光电探测器和红外光电探测器，柜体的外壁设有无线信号发送器和工控机，工控机显示器外部设有无线信号接收器和警报器；通过上述技术方案，可显示监测到低压汞灯所发出紫外光信号的光源强度大小，提示需要更换汞灯，也可监测附近人群所发出红外信号的强度大小，在高于一定阈值时，会开启警报器进行警示，并自动切断紫外消毒设备电源，提示附近人群离开，进而实现对紫外消毒设备光源强度的监控和紫外消毒设备附近人群的监控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112117336A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202011005272.2
申请日：2020-09-22
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/105 , H01L23/52 , H01L27/144 , H01L31/18 , B81B1/00 , B81C1/00
Abstract: 背照式结构的4H‑SiC紫外光电探测器阵列及制备，所述4H‑SiC紫外光电探测器包括从下到上设置的N型金属电极、N+型4H‑SiC衬底、吸收层、本征层；所述本征层通过离子注入的方式形成有多个P+层，用于制备阵列的单个像素点；所述P+层上设有P型金属电极；光从背面的N+型4H‑SiC衬底进行照射，所述N+型4H‑SiC衬底上对应P+层的位置刻蚀有贯穿N+型4H‑SiC衬底的微孔以形成有源区；所述N型金属电极设于N+型4H‑SiC衬底上未开设微孔的位置。一方面从背面刻蚀微孔增加紫外光的吸收，另一方面正面的P型金属电极和背面的N型金属电极恰好可以阻挡可见光的透过，使得硅读出电路不会对可见光产生响应。
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公开(公告)号：CN112117337B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202011012078.7
申请日：2020-09-22
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/105 , H01L31/18 , B81B1/00 , B81C1/00
Abstract: 具有刻蚀微孔结构的4H‑SiC紫外光电探测器及制备，所述4H‑SiC紫外光电探测器包括P+层、吸收层和P层环形电极，还包括设于P层环形电极的内周的微孔，其从P+层刻蚀到达吸收层的上表面，微孔的壁面设有钝化层。当紫外光入射到探测器芯片上时，一部分被P+层吸收或者反射；另一部分被吸收层吸收并产生电子‑空穴对，在耗尽区内建电场的驱动下分离，并运动到探测器两端的电极，最后搭载外部负载电路形成电信号，通过检测电信号的大小，就可以判定紫外线强度的大小。微孔结构可减少P+层对紫外光的吸收，使得微孔处，光直接被吸收层吸收，提高探测器的响应度和量子效率，显著增加紫外光电探测器的实用性能。
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公开(公告)号：CN113600160A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110897897.2
申请日：2021-08-05
Applicant: 厦门大学
Abstract: 具有光催化功能的TiO2纳米线/石墨烯气凝胶的制备，涉及空气净化领域的光催化材料。将TiO2纳米线与氧化石墨烯水分散液混合，得混合分散液；再加入氢氧化钠固体并搅拌，调节pH值至11，加入烷基糖苷与硼酸钠，搅拌发泡后置于鼓风烘箱中反应，调节温度；得到的固体冷冻，然后再解冻，至完全解冻后，使用1％的水醇溶液进行透析；再次进行冷冻，置于鼓风烘箱中进行干燥，退火；退火得到的固体在氩气保护下进行热处理反应，即得TiO2纳米线/石墨烯气凝胶。以石墨烯气凝胶作为载体，利用GA自身高比表面积可以对粘性流体进行不同程度的吸附。低成本成本、可满足不同的使用需求、可大批量生产、重复性好。可以用于光催化甲醛降解。
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公开(公告)号：CN111463308B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202010400369.7
申请日：2020-05-13
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0312 , H01L31/18
Abstract: 一种碳化硅同轴紫外光电探测器及其制备方法，涉及紫外光电探测器。碳化硅同轴紫外光电探测器设有高掺杂浓度的碳化硅n+型衬底，在n+型衬底的硅面上设同质的n型缓冲层，在n型缓冲层的中心向上设圆柱状碳化硅n型层，以n型层的轴心为中心往外依次设圆柱管状碳化硅低掺i型吸收层和圆柱管状碳化硅p+型欧姆接触层，p+型欧姆接触层全部设在i型吸收层侧上部分且不与n+型衬底接触，整个器件在水平方向上从外往内形成p‑i‑n结构，在p+型欧姆接触层、i型吸收层和n型层表面设有SiO2钝化层；n+型衬底的背面设有n+型电极，p+型欧姆接触层侧上表面设有p+型电极。可获得更好的器件响应度，提高收集光生载流子的效率。
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公开(公告)号：CN111463308A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010400369.7
申请日：2020-05-13
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0312 , H01L31/18
Abstract: 一种碳化硅同轴紫外光电探测器及其制备方法，涉及紫外光电探测器。碳化硅同轴紫外光电探测器设有高掺杂浓度的碳化硅n+型衬底，在n+型衬底的硅面上设同质的n型缓冲层，在n型缓冲层的中心向上设圆柱状碳化硅n型层，以n型层的轴心为中心往外依次设圆柱管状碳化硅低掺i型吸收层和圆柱管状碳化硅p+型欧姆接触层，p+型欧姆接触层全部设在i型吸收层侧上部分且不与n+型衬底接触，整个器件在水平方向上从外往内形成p-i-n结构，在p+型欧姆接触层、i型吸收层和n型层表面设有SiO2钝化层；n+型衬底的背面设有n+型电极，p+型欧姆接触层侧上表面设有p+型电极。可获得更好的器件响应度，提高收集光生载流子的效率。
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