公开(公告)号：CN117334728A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202311271989.5

申请日：2023-09-28

Applicant: 厦门大学 ,  北京大学

Inventor： 朱志 ,  张苏卉 ,  王可心 ,  张兆萱 ,  孙伟

IPC: H01L29/40 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H10N70/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种利用纳米间隙抑制金属原子迁移的方法。利用二维材料与金属之间非直接接触的静电力间隙，可以稳定金属原子界面，抑制原子迁移。即使在加热条件下，金属原子与二维材料的静电间隙界面仍保持稳定，而未保护的原子界面则出现了原子迁移、融化导致的明显形变。与现有技术相比，本发明不依赖于二维材料对表面的直接接触，并可以在原子尺度上有效阻隔原子扩散，满足小尺寸电子器件高温可靠性的应用需求。