公开(公告)号：CN101372327A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200810071868.5

申请日：2008-09-26

Applicant: 厦门大学

Inventor： 谢素原 ,  马春印 ,  林水潮 ,  江智渊 ,  黄荣彬 ,  郑兰荪

IPC: C01B31/02 ,  C23C14/34 ,  C23C14/06

Abstract: 一种碳纳米管阵列的生长方法，涉及一种碳纳米管，尤其是涉及一种低能耗、无炉生长超长碳纳米管阵列的方法。提供一种碳纳米管阵列的生长方法。提供一基底，在该基底上表面依次溅射一层缓冲层和一层催化剂层，得上表面溅射有一层缓冲层和一层催化剂的基底；将上表面溅射有一层缓冲层和一层催化剂的基底放在加热片上；启动微区加热控制电源，直接以加热片为加热装置对基底加热；通入载气和碳源气；关闭微区加热控制器电源，将基底取出，得到样品。

公开(公告)号：CN101372327B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200810071868.5

申请日：2008-09-26

Applicant: 厦门大学

Inventor： 谢素原 ,  马春印 ,  林水潮 ,  江智渊 ,  黄荣彬 ,  郑兰荪

IPC: C01B31/02 ,  C23C14/34 ,  C23C14/06

Abstract: 一种碳纳米管阵列的生长方法，涉及一种碳纳米管，尤其是涉及一种低能耗、无炉生长超长碳纳米管阵列的方法。提供一种碳纳米管阵列的生长方法。提供一基底，在该基底上表面依次溅射一层缓冲层和一层催化剂层，得上表面溅射有一层缓冲层和一层催化剂的基底；将上表面溅射有一层缓冲层和一层催化剂的基底放在加热片上；启动微区加热控制电源，直接以加热片为加热装置对基底加热；通入载气和碳源气；关闭微区加热控制器电源，将基底取出，得到样品。