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公开(公告)号:CN105572799A
公开(公告)日:2016-05-11
申请号:CN201610157083.4
申请日:2016-03-18
Applicant: 厦门大学
IPC: G02B6/122
CPC classification number: G02B6/1226
Abstract: 本发明涉及一种实现表面等离激元纵向焦点强度调控的方法,在金属表面开设呈像素形状的若干凹槽,凹槽沿横向分布,并且在纵向方向呈至少一列,形成凹槽阵列;光线从垂直于金属表面的方向照射凹槽阵列,在金属表面生成纵向分布的表面等离激元焦点;遍历所有凹槽阵列的组合,检索得到具有特定纵向焦点强度分布的特定凹槽阵列,实现纵向焦点强度调控。本发明通过改变凹槽阵列的组合,能够得到不同要求的焦点分布与光强度,实现表面等离激元纵向焦点强度调控。表面等离激元的独特性质非常适合在金属表面制备微小尺寸的二维器件,基于表面等离激元来实现光场的纵向强度调控,将非常有利于器件的小型化和平面化集成。
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公开(公告)号:CN105572799B
公开(公告)日:2018-08-24
申请号:CN201610157083.4
申请日:2016-03-18
Applicant: 厦门大学
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明涉及一种实现表面等离激元纵向焦点强度调控的方法,在金属表面开设呈像素形状的若干凹槽,凹槽沿横向分布,并且在纵向方向呈至少一列,形成凹槽阵列;光线从垂直于金属表面的方向照射凹槽阵列,在金属表面生成纵向分布的表面等离激元焦点;遍历所有凹槽阵列的组合,检索得到具有特定纵向焦点强度分布的特定凹槽阵列,实现纵向焦点强度调控。本发明通过改变凹槽阵列的组合,能够得到不同要求的焦点分布与光强度,实现表面等离激元纵向焦点强度调控。表面等离激元的独特性质非常适合在金属表面制备微小尺寸的二维器件,基于表面等离激元来实现光场的纵向强度调控,将非常有利于器件的小型化和平面化集成。
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