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发明公开
检测区域形成方法、晶粒表面检测方法和晶粒表面热点判断方法审中-实审

公开(公告)号：CN119024006A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202411124113.2

申请日：2024-08-15

Applicant: 厦门大学

Inventor： 王磊 , 陈剑锋 , 郑鹏 , 林春 , 贺珊

IPC: G01Q10/00 , G01Q60/24 , G01B15/08 , G01B21/30 , H01L21/66

Abstract: 本申请公开了检测区域形成方法、晶粒表面检测方法和晶粒表面热点判断方法。检测区域形成方法为在集成电路版图上选择表征区域并由各表征区域形成检测区域；其中，表征区域用于表征具有相似结构的局部区域，局部区域的尺寸在0.5微米至50微米范围内。晶粒表面检测方法使用上述检测区域形成方法形成的检测区域对晶粒表面进行形貎检测。晶粒表面热点判断方法依据形貎检测的结果判断是否存在热点。采用上述方法，相较于现有技术，具有更高的检测压缩比，更有利于在产线上普及应用分辨率高的检测手段。

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