公开(公告)号：CN104465676B

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201410745796.3

申请日：2014-12-09

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈厦平 ,  吴正云 ,  蔡加法 ,  洪荣墩 ,  张自锋 ,  钟金祥

IPC: H01L27/144 ,  H01L21/784 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224

Abstract: 4H‑SiC PIN紫外光电二极管一维阵列芯片及其制备方法，涉及光电二极管阵列芯片。芯片具有1×128像素，由128个SiC PIN单管沿一维直线排列而成，每个单管均设有n+型SiC衬底，在衬底上依次外延生长n‑型层、p‑型层和p+型层，芯片表面生长氧化硅的钝化膜，在p+型层上设有p型电极，在p型电极上沉积Ti/Au作为焊盘接触金属，在n+型衬底的背面设有n型电极。在外延片上刻蚀出台面结构作为各单管的光敏面；热氧化生长氧化硅钝化层；将p+型层上的氧化层光刻窗口，去除重掺杂n+型衬底上的氧化层，沉积n型电极金属；将p型和n型电极金属退火与外延片形成欧姆接触；在p型欧姆接触电极沉积金属以制备焊盘。

公开(公告)号：CN104465676A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410745796.3

申请日：2014-12-09

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈厦平 ,  吴正云 ,  蔡加法 ,  洪荣墩 ,  张自锋 ,  钟金祥

IPC: H01L27/144 ,  H01L21/784 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224

Abstract: 4H-SiC PIN紫外光电二极管一维阵列芯片及其制备方法，涉及光电二极管阵列芯片。芯片具有1×128像素，由128个SiC PIN单管沿一维直线排列而成，每个单管均设有n+型SiC衬底，在衬底上依次外延生长n-型层、p-型层和p+型层，芯片表面生长氧化硅的钝化膜，在p+型层上设有p型电极，在p型电极上沉积Ti/Au作为焊盘接触金属，在n+型衬底的背面设有n型电极。在外延片上刻蚀出台面结构作为各单管的光敏面；热氧化生长氧化硅钝化层；将p+型层上的氧化层光刻窗口，去除重掺杂n+型衬底上的氧化层，沉积n型电极金属；将p型和n型电极金属退火与外延片形成欧姆接触；在p型欧姆接触电极沉积金属以制备焊盘。