公开(公告)号：CN110706933A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201911094395.5

申请日：2019-11-11

Applicant: 厦门大学

Inventor： 杜荣归 ,  官自超 ,  金飘

IPC: H01G9/20 ,  H01G9/042

Abstract: 二氧化钛纳米棒复合光阳极的制备方法，涉及光电化学领域。提供了一种以金红石TiO2纳米棒为基础的光阳极g-C3N4/SrTiO3/TiO2的制备方法。首先利用水热法在FTO基底上构筑一层TiO2纳米棒阵列膜；再通过第二次水热反应，将TiO2纳米棒表面部分TiO2转化为SrTiO3，得SrTiO3/TiO2纳米棒阵列复合膜；最后通过化学气相沉积(CVD)技术在SrTiO3/TiO2复合膜的表面沉积g-C3N4层，获得g-C3N4/SrTiO3/TiO2纳米棒阵列复合膜光阳极。由于复合膜中光生电子和空穴有效的分离与转移，极大地抑制了光生电荷的复合，使得该复合材料具有很高的光电转化效率。

公开(公告)号：CN110706933B

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201911094395.5

申请日：2019-11-11

Applicant: 厦门大学

Inventor： 杜荣归 ,  官自超 ,  金飘

IPC: H01G9/20 ,  H01G9/042

Abstract: 二氧化钛纳米棒复合光阳极的制备方法，涉及光电化学领域。提供了一种以金红石TiO2纳米棒为基础的光阳极g‑C3N4/SrTiO3/TiO2的制备方法。首先利用水热法在FTO基底上构筑一层TiO2纳米棒阵列膜；再通过第二次水热反应，将TiO2纳米棒表面部分TiO2转化为SrTiO3，得SrTiO3/TiO2纳米棒阵列复合膜；最后通过化学气相沉积(CVD)技术在SrTiO3/TiO2复合膜的表面沉积g‑C3N4层，获得g‑C3N4/SrTiO3/TiO2纳米棒阵列复合膜光阳极。由于复合膜中光生电子和空穴有效的分离与转移，极大地抑制了光生电荷的复合，使得该复合材料具有很高的光电转化效率。