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公开(公告)号：CN114326328B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202210020545.3
申请日：2022-01-10
Applicant: 厦门大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种基于深度学习的用于超紫外光刻的模拟仿真方法，涉及电磁正演仿真计算。包括小尺寸掩膜模拟仿真和大尺寸掩膜模拟仿真；小尺寸掩膜仿真功能用于进行与训练集尺寸(128nm×128nm)相同的掩膜模拟仿真，大尺寸掩膜仿真功能用于仿真尺寸大于训练集尺寸(256nm×256nm及以上)的掩膜模拟仿真。设计掩膜形状，建立双层U‑Net深度学习训练模型，输入需要仿真的光刻掩膜图像，输出掩膜堆叠上方平面上对应的远近场。可降低仿真所需的时长和占用的设备资源，具备与全波模拟相近的仿真精度，并满足仿真掩膜线宽变化范围为2～19nm的超紫外光刻需求。能计算的掩膜的尺寸，相对于超紫外波长比较大，具有较广应用范围。
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