一种重掺杂硼硅片的再分布方法

    公开(公告)号:CN103193195A

    公开(公告)日:2013-07-10

    申请号:CN201310074216.8

    申请日:2013-03-08

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 一种重掺杂硼硅片的再分布方法,涉及一种重掺杂硼硅片。将重掺杂硼硅片放在托盘上,然后置于石英腔体中,关闭屏蔽箱门,旋转压紧密封机构;将石英腔体抽真空,通过气体进口和气体出口,对石英腔体内通入再分布所需气体;开启电源,通过电极片在空间中施加电场,然后开通射频电源,通过自动匹配器实现负载匹配,让感应线圈产生高频变化的磁场;打开温度传感器,利用温度传感器的温度指示,调节输入功率达到要求的温度,对重掺杂硼硅片进行加热,开始再分布过程;为确保操作人员安全,电磁感应线圈外装有电磁屏蔽外壳,在整个再分布过程中要保持干扰场强仪的开启,以实时监测场强大小,使其在相关规定的范围内。加热速率快,成本低,有效减小残余应力。

    一种重掺杂硼硅片的再分布方法

    公开(公告)号:CN103193195B

    公开(公告)日:2015-04-01

    申请号:CN201310074216.8

    申请日:2013-03-08

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 一种重掺杂硼硅片的再分布方法,涉及一种重掺杂硼硅片。将重掺杂硼硅片放在托盘上,然后置于石英腔体中,关闭屏蔽箱门,旋转压紧密封机构;将石英腔体抽真空,通过气体进口和气体出口,对石英腔体内通入再分布所需气体;开启电源,通过电极片在空间中施加电场,然后开通射频电源,通过自动匹配器实现负载匹配,让感应线圈产生高频变化的磁场;打开温度传感器,利用温度传感器的温度指示,调节输入功率达到要求的温度,对重掺杂硼硅片进行加热,开始再分布过程;为确保操作人员安全,电磁感应线圈外装有电磁屏蔽外壳,在整个再分布过程中要保持干扰场强仪的开启,以实时监测场强大小,使其在相关规定的范围内。加热速率快,成本低,有效减小残余应力。

Patent Agency Ranking