公开(公告)号：CN120006265A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202510081196.X

申请日：2025-01-20

Applicant: 厦门大学

Inventor： 洪文晶 ,  李佳昕 ,  洪贵春 ,  纪金朝 ,  黄怡然 ,  王汝歌 ,  郑旭颖 ,  苏文湫

IPC: C23C18/18 ,  C23C18/34 ,  C23C18/36

Abstract: 本发明属于化学镀技术领域，具体涉及一种铜基化学镀镍的方法。本发明将铜基底置于预浸剂中进行预浸处理，得到预浸处理铜基底，所述预浸剂包括氨基硅烷偶联剂；将所述预浸处理铜基底置于钯活化剂中进行活化处理，得到活化处理铜基底，所述钯活化剂包括钯盐；将所述活化处理铜基底置于化学镀镍液中进行化学镀镍，在所述铜基底表面沉积得到含镍镀层。本发明通过对铜基底依次进行预浸处理和活化处理，不仅解决了传统的漏镀和渗镀问题，并且铜基底表面的含镍镀层生长速度更快，含镍镀层平整度更加致密，具有良好的工业应用前景。