一种有机溶剂处理改善钙钛矿太阳能电池界面的方法

    公开(公告)号:CN117858593A

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202410026956.2

    申请日:2024-01-08

    Abstract: 本发明专利公开了一种有机溶剂处理改善钙钛矿太阳能电池界面的方法,通过有机溶剂对PTAA薄膜进行表面改性,提高PTAA基反式钙钛矿太阳能电池的光伏性能,属于光伏技术领域。具体采用2‑Me、2‑DM等对PTAA薄膜进行后处理,处理方法包括旋涂法和浸泡法,二者都可达到同样的优化效果。上述溶剂不仅可以改善PTAA表面润湿性,有利于钙钛矿前驱体溶液铺展成膜;还可以提高PTAA表面分子取向有序性,为钙钛矿的生长提供模板化成核基底,调控钙钛矿结晶动力学,减少钙钛矿薄膜上表面和埋底面缺陷,抑制界面载流子非辐射复合损失,进而有效提高反式钙钛矿太阳能电池的光电转换效率和长期稳定性。

    一种高性能简式钙钛矿太阳能电池的构建方法

    公开(公告)号:CN117396008A

    公开(公告)日:2024-01-12

    申请号:CN202311337115.5

    申请日:2023-10-17

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 一种高性能简式钙钛矿太阳能电池的构建方法,属于光伏技术领域。在导电基底上引入碱金属卤化物修饰层,直接覆盖钙钛矿,构建结构为“导电基底‑AX/钙钛矿/Spiro‑OMeTAD/金属”的简式器件。碱金属卤化物有效优化导电基底的能带结构,抑制界面非辐射复合损失;精确控制钙钛矿的成核结晶动力学,修复钙钛矿上下界面缺陷,促进高质量钙钛矿薄膜的形成,最终获得光电转换效率大于23%的简式钙钛矿太阳能电池。精简钙钛矿太阳能光伏器件的结构,摆脱对传统电子传输材料的依赖,缩短电池制备工艺和生产周期,极大地降低器件成本,有利于钙钛矿太阳能电池的工业化和规模化。

    基于衬底调控蒸镀酞菁铜薄膜质量的太阳能电池制备方法

    公开(公告)号:CN119584831A

    公开(公告)日:2025-03-07

    申请号:CN202411572751.0

    申请日:2024-11-06

    Abstract: 本发明公开了基于衬底调控蒸镀酞菁铜薄膜质量的太阳能电池制备方法,本方案包括在导电基底上制备电子传输层,再制备钙钛矿吸光层,然后通过真空热蒸镀的方法在钙钛矿表面覆盖超薄Spiro‑OMeTAD分子层,再蒸镀酞菁铜空穴传输层,最后蒸镀金属对电极。其中,Spiro‑OMeTAD分子层可有效修复钙钛矿多晶薄膜表面的物理缺陷,进一步调控酞菁铜分子沉积动力学,获得更紧密分子堆积和更好的薄膜覆盖度。Spiro‑OMeTAD还可以优化界面能级结构,有效阻挡界面电子的反向注入。薄膜质量和界面能级的改善提升了界面载流子的传递效率,CuPc基钙钛矿太阳能电池表现出19.7%的光电转换效率。真空热蒸镀技术的引入,也进一步降低了材料成本,且更有利于实现大面积成膜,为钙钛矿太阳能电池市场化奠定基础。

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