公开(公告)号：CN117790289A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311851710.0

申请日：2023-12-29

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  焦金龙 ,  纪若昀 ,  李成 ,  黄巍 ,  林光杨

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/683

Abstract: 一种提高Si/InGaAs键合界面热稳定性的键合方法。采用MOCVD在Si衬底上外延单晶In1‑xGaxAs缓冲层，通过低温键合获得Si基InGaAs薄膜，最后通过高温退火修复薄膜晶体质量及键合界面，实现具有高质量及超高热稳定性的Si基InGaAs薄膜制备。通过在Si衬底上外延生长In1‑xGaxAs作为键合中间层，将键合界面由InGaAs、Si异质界面转变为InGaAs、In1‑xGaxAs界面，缓解异质键合界面在高温下由于异质材料之间的热失配产生的巨大应力，因此键合界面的稳定性得到提升。制备的Si基InGaAs薄膜在高温下的稳定性较高，外延缓冲层有效的缓解异质材料之间热失配产生的应力。

公开(公告)号：CN116779720A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310742575.X

申请日：2023-06-21

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  黄东林 ,  纪若昀 ,  姚荔强 ,  焦金龙 ,  李成 ,  黄巍

IPC: H01L31/18 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C16/50

Abstract: 一种远程氧等离子体钝化Ge表面的方法，首先通过等离子体增强原子层沉积系统中的远程氧等离子体对Ge表面进行处理，以形成稳定的GeO2薄层，降低Ge与SiO2直接接触时的高界面态密度，之后原位生长Al2O3薄层作为保护层防止GeO2潮解，最后沉积SiO2钝化层，实现Ge表面的有效钝化。

公开(公告)号：CN116779482A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310741286.8

申请日：2023-06-21

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  纪若昀 ,  姚荔强 ,  焦金龙 ,  李成 ,  黄巍

IPC: H01L21/67 ,  H01L23/00

Abstract: 一种提高Si基Ge薄膜热稳定性的键合方法，首先采用超高真空CVD在Si衬底上低温外延单晶Ge缓冲层，其次通过原位高温退火释放Ge、Si之间的失配应力，之后与H+注入后的Ge片室温贴合并低温退火实现Ge薄膜的智能剥离，最后通过高温退火修复薄膜晶体质量，实现具有高质量及超高热稳定性的Si基Ge薄膜制备。