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公开(公告)号:CN114566638B
公开(公告)日:2024-09-17
申请号:CN202210197295.0
申请日:2022-03-02
Applicant: 厦门大学
IPC: H01M4/38 , H01M4/134 , H01M4/1395 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供了一种硅纳米线及其制备方法和应用、锂离子电池负极的制备方法,属于电极材料技术领域。本发明提供了一种硅纳米线的制备方法,通过对原料浓度、水热反应以及退火处理的条件的限定得到了非晶态硅纳米线,在作为电极材料时不会发生晶型的转变,并且非晶态硅纳米线对体积膨胀的耐受性更好,因此本发明的非晶态硅纳米线作为电极材料时具有良好的循环稳定性。实施例结果表明,采用本发明提供的制备方法制备得到的硅纳米线作为电极材料的半电池在循环1000圈之后库伦效率接近100%。
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公开(公告)号:CN114566638A
公开(公告)日:2022-05-31
申请号:CN202210197295.0
申请日:2022-03-02
Applicant: 厦门大学
IPC: H01M4/38 , H01M4/134 , H01M4/1395 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供了一种硅纳米线及其制备方法和应用、锂离子电池负极的制备方法,属于电极材料技术领域。本发明提供了一种硅纳米线的制备方法,通过对原料浓度、水热反应以及退火处理的条件的限定得到了非晶态硅纳米线,在作为电极材料时不会发生晶型的转变,并且非晶态硅纳米线对体积膨胀的耐受性更好,因此本发明的非晶态硅纳米线作为电极材料时具有良好的循环稳定性。实施例结果表明,采用本发明提供的制备方法制备得到的硅纳米线作为电极材料的半电池在循环1000圈之后库伦效率接近100%。
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