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公开(公告)号：CN111982383B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202010641135.1
申请日：2020-07-06
Applicant: 厦门大学
IPC: G01L9/12
Abstract: 本发明提供一种差压接触式MEMS电容薄膜真空规，包括下基底、上基底与盖板，所述盖板上设置测量端进气口，所述上基底设置感压薄膜，且所述上基底的感压薄膜与盖板之间形成测量端腔室，所述上基底的感压薄膜与下基底之间形成参考端腔室，所述下基底的上端面设置固定电极，所述固定电极的上端面设置绝缘层，所述固定电极与绝缘层均位于参考端腔室内，所述上基底上还设置用于引出固定电极的第一引出槽以及用于引出感压薄膜的第二引出槽，所述感压薄膜与下基底上的固定电极、绝缘层组成真空规的敏感电容，电容信号分别由感压薄膜电极的第二引出槽与固定电极的第一引出槽引出，所述测量端腔室与测量端真空环境连通，所述参考端腔室与参考端真空环境连通。
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公开(公告)号：CN111982383A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010641135.1
申请日：2020-07-06
Applicant: 厦门大学
IPC: G01L9/12
Abstract: 本发明提供一种差压接触式MEMS电容薄膜真空规，包括下基底、上基底与盖板，所述盖板上设置测量端进气口，所述上基底设置感压薄膜，且所述上基底的感压薄膜与盖板之间形成测量端腔室，所述上基底的感压薄膜与下基底之间形成参考端腔室，所述下基底的上端面设置固定电极，所述固定电极的上端面设置绝缘层，所述固定电极与绝缘层均位于参考端腔室内，所述上基底上还设置用于引出固定电极的第一引出槽以及用于引出感压薄膜的第二引出槽，所述感压薄膜与下基底上的固定电极、绝缘层组成真空规的敏感电容，电容信号分别由感压薄膜电极的第二引出槽与固定电极的第一引出槽引出，所述测量端腔室与测量端真空环境连通，所述参考端腔室与参考端真空环境连通。
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公开(公告)号：CN112611506A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011501968.4
申请日：2020-12-17
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供一种宽量程高灵敏度MEMS电容薄膜真空规，包括玻璃基底层、电极层、含硅基底层、保护层以及密封层，所述密封层、含硅基底层以及玻璃基底层从上到下依次设置；所述玻璃基底层与含硅基底层之间设置参考端腔体，所述密封层与含硅基底层之间设置测量端腔体，所述参考端腔体与测量端腔体之间设置感应薄膜，所述密封层上设置与测量端腔体连通的通气孔，所述保护层设置于测量端腔体内，且所述保护层上且位于感应薄膜的一端面设置凹槽，所述含硅基底层上设置与参考端腔体连通的电极引出孔，且还设置电极引出槽；所述电极层包括设置于玻璃基底层上且位于参考端腔体内的固定电极以及与固定电极连接且位于第一引出槽内的电极引出焊盘。
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