公开(公告)号：CN103489751A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310414626.2

申请日：2013-09-12

Applicant: 厦门大学

Inventor： 朱凤 ,  颜佳伟 ,  毛秉伟

IPC: H01L21/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: G01N27/30 ,  B81C1/00031

Abstract: 本发明公开了基于电化学双极性行为提高微电极阵列电极密度的方法和电极构型，属于微电极阵列电化学领域，微电极阵列研究中关于如何设计电极间距以使其可以保持微电极稳态的性质，同时可以达到电流加和的目的一直是一个热点。本发明提出一种基于电化学双极性现象的平面-凹微电极阵列的电极构型，在凹微电极阵列的正上方引入一层平面金属膜，所述的金属膜覆盖凹微电极阵列的绝缘层，而裸露微电极。从而使得微电极阵列在电极间距很小的情况下仍然获得稳态响应的性质，同时由于微电极上的双极性现象，稳态电流比普通电极上的稳态电流要大，从而可以在一个小的芯片上获得较大的电流响应，电流密度值增大至少一个数量级。