一种含钠钼膜及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN103872154A

    公开(公告)日:2014-06-18

    申请号:CN201410123303.2

    申请日:2014-03-28

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明公开了一种含钠钼膜及其制备方法和应用,该含钠钼膜从上至下依次包括10nm-1um厚的第一纯钼层、10nm-1um厚的含钠钼层、100nm-2um厚的第二纯钼层和基底,其中含钠钼层的Na含量1-20%[at],Mo含量80-99%[at],第一纯钼层和第二纯钼层的钼含量均为99.9-99.9999%[at]。与现有技术相比,本发明含钠钼膜在粘附性、导电性等方面符合铜铟镓硒薄膜太阳能电池的要求,可以用于制备优质的铜铟镓硒薄膜太阳能电池;本发明可以制备含有适量钠元素的掺钠钼膜,保证钠元素的掺入量对铜铟镓硒太阳能电池的效率的正面影响相对最大化;本发明制备的含钠钼膜适用范围广,可基于玻璃、PI、不锈钢或陶瓷等铜铟镓硒薄膜太阳能电池常用基底进行制备。

    一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制作方法

    公开(公告)号:CN103474510B

    公开(公告)日:2016-03-09

    申请号:CN201310420074.6

    申请日:2013-09-13

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制作方法,包括将导电钼浆用喷涂、刮涂或印刷的方式置于太阳能电池基板上,制得太阳能电池背电极;再在上述太阳能电池背电极的基础上制作铜铟镓硒薄膜太阳能电池。与现有技术相比,本发明的方法采用非真空制备技术来制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背电极,即采用丝网印刷法或者刮涂法,工艺简单,降低制造成本。

    一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制作方法

    公开(公告)号:CN103474510A

    公开(公告)日:2013-12-25

    申请号:CN201310420074.6

    申请日:2013-09-13

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制作方法,包括将导电钼浆用喷涂、刮涂或印刷的方式置于太阳能电池基板上,制得太阳能电池背电极;再在上述太阳能电池背电极的基础上制作铜铟镓硒薄膜太阳能电池。与现有技术相比,本发明的方法采用非真空制备技术来制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背电极,即采用丝网印刷法或者刮涂法,工艺简单,降低制造成本。

    一种含钠钼膜及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN103872154B

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201410123303.2

    申请日:2014-03-28

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明公开了一种含钠钼膜及其制备方法和应用,该含钠钼膜从上至下依次包括10nm?1um厚的第一纯钼层、10nm?1um厚的含钠钼层、100nm?2um厚的第二纯钼层和基底,其中含钠钼层的Na含量1?20%[at],Mo含量80?99%[at],第一纯钼层和第二纯钼层的钼含量均为99.9?99.9999%[at]。与现有技术相比,本发明含钠钼膜在粘附性、导电性等方面符合铜铟镓硒薄膜太阳能电池的要求,可以用于制备优质的铜铟镓硒薄膜太阳能电池;本发明可以制备含有适量钠元素的掺钠钼膜,保证钠元素的掺入量对铜铟镓硒太阳能电池的效率的正面影响相对最大化;本发明制备的含钠钼膜适用范围广,可基于玻璃、PI、不锈钢或陶瓷等铜铟镓硒薄膜太阳能电池常用基底进行制备。

    一种制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的方法

    公开(公告)号:CN103474128B

    公开(公告)日:2016-05-11

    申请号:CN201310418784.5

    申请日:2013-09-13

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的方法,包括:(1)将复合导电钼浆通过丝网印刷、刮涂或喷涂于陶瓷基板上,然后经150-250℃烘干、450-1150℃热处理和150-250℃退火,制得背电极,该复合导电钼浆包括如下重量份的组分:粒径0.01-50μm的钼粉50-80重量份、无铅玻璃粉5-15重量份、有机载体10-25重量份和添加剂5-10重量份;其中有机载体包括质量比为1-5:9-20的环氧树脂和有机溶剂,添加剂包括适量NaOH、增稠剂、增塑剂和表面活性剂;(2)在上述背电极的基础上制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池。本发明的方法所使用的复合导电钼浆可采用非真空制备技术来制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背电极,工艺简单,降低制造成本。

    一种制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的方法

    公开(公告)号:CN103474128A

    公开(公告)日:2013-12-25

    申请号:CN201310418784.5

    申请日:2013-09-13

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的方法,包括:(1)将复合导电钼浆通过丝网印刷、刮涂或喷涂于陶瓷基板上,然后经150-250℃烘干、450-1150℃热处理和(150-250℃)退火,制得背电极,该复合导电钼浆包括如下重量份的组分:钼粉50-80重量份、玻璃粉5-15重量份、有机载体10-25重量份和添加剂5-10重量份;其中有机载体包括质量比为1-5:9-20的环氧树脂和有机溶剂,添加剂包括适量NaOH、增稠剂、增塑剂和表面活性剂;(2)在上述背电极的基础上制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池。与现有技术相比,本发明的方法所使用的复合导电钼浆可采用非真空制备技术来制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背电极,即采用丝网印刷法、喷涂法或者刮涂法,工艺简单,降低制造成本。

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