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发明公开
硼掺杂直拉硅单晶p/p+外延片铜沾污后获得洁净区的方法无效

公开(公告)号：CN104060327A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410305340.5

申请日：2014-06-30

Applicant: 厦门大学

Inventor： 徐进 , 谢婷婷 , 吕耀朝 , 吉川

IPC: C30B33/00 , C30B33/02

Abstract: 硼掺杂直拉硅单晶p/p+外延片铜沾污后获得洁净区的方法，涉及硅单晶p/p+外延片。1)准备3组样品，将第1组样品浸入CuCl2溶液中进行铜沾污，然后分别在1100～1300℃N2，O2和Ar气氛下热处理，将第2、3组样品直接分别在1100～1300℃N2，O2和Ar气氛下热处理；2)将步骤1)热处理过的第2组样品进行铜沾污，然后在600～800℃下保温；将步骤1)热处理过的第1,3组样品直接在600～800℃下保温；3)将步骤2)处理过的第3组样品进行铜沾污，然后在900～1100℃下保温；将步骤2)处理过的第1,2组样品直接在900～1100℃下保温。

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