公开(公告)号：CN113451464A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110692043.0

申请日：2021-06-22

Applicant: 厦门大学 ,  福建中晶科技有限公司

Inventor： 张保平 ,  徐欢 ,  梅洋 ,  杨帅 ,  应磊莹 ,  侯想 ,  罗荣煌 ,  卢文瑞 ,  陈锋 ,  钟梦洁 ,  刘熠新

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/46

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基谐振腔发光二极管及其制备方法，氮化镓基谐振腔发光二极管包括依序层叠设置的支撑基板、高对比度光栅、有源区、N型层，N型层远离有源区的端面上还设置有第一反射镜和N电极；其中，高对比度光栅由P型层和透明导电层组成，P型层的一端面与有源区贴合，P型层的另一端面上经刻蚀形成非平整的光栅结构，透明导电层设置在P型层的光栅结构间隙和表面；本方案直接使用部分P型层及透明导电层作为高对比度光栅结构以替代传统的底部反射镜结构，不仅减小了器件串联电阻，降低吸收损耗，还提高了输出光质量，且制备工艺简单，所有制备工艺与标准半导体制备工艺兼容，满足大规模光电集成的需要。

公开(公告)号：CN108088590A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201711376686.4

申请日：2017-12-19

Applicant: 厦门大学

Inventor： 余煜玺 ,  刘熠新 ,  余洪哿

IPC: G01L1/14 ,  G01L1/26

CPC classification number: G01L1/14 ,  G01L1/26

Abstract: SiCN陶瓷无线无源谐振腔式压力传感器及其制备方法，涉及压力传感器。SiCN陶瓷无线无源谐振腔式压力传感器设有非晶态SiCN陶瓷压力片、非晶态SiCN陶瓷环片、非晶态SiCN陶瓷底座、贴片天线、耦合槽天线和空气谐振腔；所述非晶态SiCN陶瓷压力片、非晶态SiCN陶瓷底座表面和非晶态SiCN陶瓷环片内表面涂有金属层，金属层形成谐振腔，贴片天线设在非晶态SiCN陶瓷压力片顶部，耦合槽天线设在谐振腔上表面，谐振腔通过耦合槽天线与贴片天线耦合，贴片天线与共面波导线耦合。

公开(公告)号：CN108036881A

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：CN201711374477.6

申请日：2017-12-19

Applicant: 厦门大学

Inventor： 余煜玺 ,  刘熠新 ,  余洪哿

IPC: G01L1/18

CPC classification number: G01L1/183

Abstract: 一种SiCN陶瓷无线无源压力传感器及其制备方法，SiCN陶瓷无线无源压力传感器设有圆柱形非晶态SiCN陶瓷压敏元件、谐振腔和耦合槽天线；圆柱形非晶态SiCN陶瓷压敏元件的表面包裹有金属层，金属层形成谐振腔，耦合槽天线设在谐振腔的上表面，谐振腔通过耦合槽天线与共面波导线进行耦合。制备圆柱形非晶态SiCN陶瓷压敏元件；对非晶态SiCN陶瓷压敏元件表面处理；在非晶态SiCN陶瓷压敏元件上，贴上与耦合槽天线尺寸一致的聚酰亚胺胶带后，再在非晶态SiCN陶瓷压敏元件表面涂上金属层形成谐振腔，去除聚酰亚胺胶带，得上表面带有耦合槽天线的谐振腔；完成金属浆料的金属化，得非晶态SiCN陶瓷无线无源压力传感器。

公开(公告)号：CN113451464B

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202110692043.0

申请日：2021-06-22

Applicant: 厦门大学 ,  福建中晶科技有限公司

Inventor： 张保平 ,  徐欢 ,  梅洋 ,  杨帅 ,  应磊莹 ,  侯想 ,  罗荣煌 ,  卢文瑞 ,  陈锋 ,  钟梦洁 ,  刘熠新

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/46

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基谐振腔发光二极管及其制备方法，氮化镓基谐振腔发光二极管包括依序层叠设置的支撑基板、高对比度光栅、有源区、N型层，N型层远离有源区的端面上还设置有第一反射镜和N电极；其中，高对比度光栅由P型层和透明导电层组成，P型层的一端面与有源区贴合，P型层的另一端面上经刻蚀形成非平整的光栅结构，透明导电层设置在P型层的光栅结构间隙和表面；本方案直接使用部分P型层及透明导电层作为高对比度光栅结构以替代传统的底部反射镜结构，不仅减小了器件串联电阻，降低吸收损耗，还提高了输出光质量，且制备工艺简单，所有制备工艺与标准半导体制备工艺兼容，满足大规模光电集成的需要。

公开(公告)号：CN220456887U

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202322132069.7

申请日：2023-08-09

Applicant: 厦门大学 ,  福建中晶科技有限公司

Inventor： 梅洋 ,  徐欢 ,  应磊莹 ,  张保平 ,  刘熠新 ,  林赛 ,  蔡琦 ,  游庆勇

IPC: H01S5/125

Abstract: 本实用新型公开了一种基于氮化物半导体的谐振腔发光器件，包括：依次设置的支撑基板、第一反射镜、位于同层的透明导电层和电流限制层、外延层以及位于同层的第二反射镜和第二电极；第二反射镜设于外延层的上表面中部，第二电极设于外延层的上表面两侧；透明导电层设于外延层的下表面中部，电流限制层设于外延层的下表面两侧；第一反射镜是由金属反射镜和介质膜分布式布拉格反射镜组成的混合镜结构，介质膜分布式布拉格反射镜设于透明导电层的下表面中部，金属反射镜覆盖在介质膜分布式布拉格反射镜的下表面、透明导电层的下表面、电流限制层的下表面和支撑基板的上表面。本实用新型在不影响反射率的同时减少介质膜DBR对数，降低器件热阻。