一种开窗式电荷层分离的SACM结构碳化硅紫外雪崩光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN119384091A

    公开(公告)日:2025-01-28

    申请号:CN202411486246.4

    申请日:2024-10-23

    Abstract: 一种开窗式电荷层分离的SACM结构碳化硅紫外雪崩光电探测器及其制备方法,涉及紫外光电探测器。探测器自下而上设有碳化硅高掺杂n+型衬底、碳化硅n型缓冲层、碳化硅低掺杂n‑层,n‑层中设小面积均匀分布的分离式碳化硅n型电荷层,n型电荷层上为碳化硅低掺杂n‑型倍增层,n‑型倍增层上对应分离式n型电荷层处设开窗式碳化硅高掺杂p+型欧姆接触层,p+型欧姆接触层开窗处设二氧化硅钝化隔离层,p+型欧姆接触层上表面设p+型欧姆接触电极,n+型衬底的背面设n+型欧姆接触电极。通过多个小面积SACM结构和i‑n结构组成,电场相互连接耦合,加速光生载流子至倍增层产生雪崩击穿,实现微弱紫外信号探测。

    一种高量子效率的微结构碳化硅紫外光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN119815943A

    公开(公告)日:2025-04-11

    申请号:CN202411951440.5

    申请日:2024-12-27

    Abstract: 一种高量子效率的微结构碳化硅紫外光电探测器及其制备方法,属于紫外光电探测技术领域。该探测器采用自下而上的结构设计,包括碳化硅高掺杂n+型衬底、n型缓冲层、低掺杂n‑型吸收层、低掺杂p‑型吸收层(内含微结构)、环形高掺杂p+型欧姆接触层及钝化隔离层。通过在p+型欧姆接触电极施加反向偏压,形成耗尽电场,微结构促使p‑‑i‑n结构电场相互连接耦合,提高光生载流子耗尽效率,增强器件响应度和外量子效率。同时,微结构使短波紫外信号直接穿透p‑型吸收层进入内部吸收层,避免p+型欧姆接触层表面缺陷导致的光生载流子复合,提高光生载流子收集的效率,实现紫外全波段探测。

    一种低温二氧化碳加氢制甲醇的催化剂制备方法及应用

    公开(公告)号:CN119926450A

    公开(公告)日:2025-05-06

    申请号:CN202510191782.X

    申请日:2025-02-21

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明提供了一种低温二氧化碳加氢制甲醇的催化剂制备方法,包括以下步骤:(1)将金属溶液和钼源加入水中搅拌蒸干后研磨成粉末,研磨后在马弗炉中焙烧得到氧化物前驱体;(2)将氧化物前驱体在CH4/H2气体中焙烧进行渗碳处理,得到金属负载的催化剂;(3)将金属负载的催化剂在氧化性气体中进行钝化处理即可。本发明所提供的催化剂可用于二氧化碳加氢制甲醇反应,结果表明本发明所制备的催化剂可以使用金属来控制相变,在相转变过程中产生缺陷稳定金属原子,调控了金属的价态,极大增加了甲醇的选择性,实现低温下制备甲醇的可行性。本发明所提供的方法为实现高选择性低温二氧化碳加氢制甲醇开创了一个有前景的途径。

    极紫外至紫外波段的碳化硅雪崩光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN116154030B

    公开(公告)日:2024-04-30

    申请号:CN202310205107.9

    申请日:2023-03-06

    Abstract: 极紫外至紫外波段的碳化硅雪崩光电探测器及其制备方法,涉及紫外光电探测器。包括小面积横纵向的吸收倍增分离(SAM)结构和纵向p‑i‑n结构,p+型欧姆接触层、n型倍增层、n‑型吸收层和n型缓冲层形成横纵向相结合的小面积SAM结构,p‑型吸收层、n‑型吸收层和n型缓冲层形成纵向大面积的p‑i‑n结构。SAM结构和p‑i‑n结构的耗尽层电场相互连接和耦合,p‑i‑n内产生的光生载流子可被电场加速漂移至SAM结构中的n型倍增层进行载流子的雪崩倍增效应,再漂移至p+型欧姆接触层收集形成电流信号,避免光生载流子复合问题,提高光生载流子收集效率,提高极紫外和深紫外波段信号探测效率,获得更高器件响应度。

    极紫外至紫外波段的碳化硅雪崩光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN116154030A

    公开(公告)日:2023-05-23

    申请号:CN202310205107.9

    申请日:2023-03-06

    Abstract: 极紫外至紫外波段的碳化硅雪崩光电探测器及其制备方法,涉及紫外光电探测器。包括小面积横纵向的吸收倍增分离(SAM)结构和纵向p‑i‑n结构,p+型欧姆接触层、n型倍增层、n‑型吸收层和n型缓冲层形成横纵向相结合的小面积SAM结构,p‑型吸收层、n‑型吸收层和n型缓冲层形成纵向大面积的p‑i‑n结构。SAM结构和p‑i‑n结构的耗尽层电场相互连接和耦合,p‑i‑n内产生的光生载流子可被电场加速漂移至SAM结构中的n型倍增层进行载流子的雪崩倍增效应,再漂移至p+型欧姆接触层收集形成电流信号,避免光生载流子复合问题,提高光生载流子收集效率,提高极紫外和深紫外波段信号探测效率,获得更高器件响应度。

    一种用于合成气制含氧化学品铜–钴金属碳化物催化剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN110538669A

    公开(公告)日:2019-12-06

    申请号:CN201910712671.3

    申请日:2019-08-02

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 一种用于合成气制含氧化学品铜–钴金属碳化物催化剂及其制备方法,涉及金属碳化物催化剂。催化剂的组成包含活性金属和载体,化学式为xCuiCoj/Mo2C;i和j代表催化剂中相关金属元素Cu和Co的摩尔系数比例,x表示金属Cu和Co在总的催化剂中的质量百分含量。按催化剂各组分配比,将分别含计量比的硝酸铜、硝酸钴和钼酸铵加入含有去离子水的容器中,搅拌溶解,再置于油浴中加热,搅拌至糊状,烘箱干燥,研磨成粉末后置于焙烧,得氧化物前驱体,再置于管式炉中升温渗碳,得金属碳化物前驱体;进行催化反应时,常压下通入15%CH4/H2混合气升温活化,得工作态催化剂。能有效提高总醇和C2+-OH选择性及稳定性。

    一种具有双层基区结构的碳化硅光电晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN118867014A

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202410838206.5

    申请日:2024-06-26

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 一种具有双层基区结构的碳化硅光电晶体管及其制备方法,涉及紫外光电探测器。具有双层基区结构的碳化硅光电晶体管为npn垂直结构,包括从下到上依次设置的发射极电极、N+型4H‑SiC衬底、N+型发射区、P+型基区、P‑型基区、N‑型集电区、N+型集电极欧姆接触层和集电极电极。在N+型集电极欧姆接触层上表面设有供紫外光透过的光学窗口。上述探测器可避免传统碳化硅光电晶体管探测器由于基区过窄导致暗电流过高的问题,提高了光电晶体管对光电流的增益,获得更高的器件响应度并改善器件频率响应特性。

    一种双p层碳化硅p-i-n紫外光电探测器及制备方法

    公开(公告)号:CN116314421B

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202310205135.0

    申请日:2023-03-06

    Abstract: 一种双p层碳化硅p‑i‑n紫外光电探测器及制备方法,涉及紫外光电探测器。探测器自下而上设碳化硅高掺杂n+型衬底、碳化硅n型缓冲层、圆柱状碳化硅低掺杂n‑型吸收层、圆柱管状碳化硅高掺杂p+型欧姆接触层、圆柱状碳化硅低掺杂p‑型吸收层、钝化隔离介电层、钝化隔离层;整个器件具有纵向和横向两个p‑i‑n结构,两个p‑i‑n结构的耗尽层电场相互连接和耦合,在纵向p‑i‑n内产生的光生载流子被电场加速漂移至横纵向结合p‑i‑n结构中的p+型欧姆接触层中。在n+型衬底的背面设n+型欧姆接触电极,p+型欧姆接触层上表面设p+型欧姆接触电极,避免光生载流子复合问题,提高收集光生载流子效率,获得更高器件响应度。

    一种动态碳层包覆的双金属铜基催化剂制备方法及应用

    公开(公告)号:CN118744004A

    公开(公告)日:2024-10-08

    申请号:CN202410727261.7

    申请日:2024-06-06

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明提供了一种动态碳层包覆的双金属铜基催化剂的制备方法,包括以下步骤:(1)将金属盐混合物,金属钼源,碱金属盐和保护剂加入水中搅拌蒸干后研磨成粉末,将所得粉末焙烧后制得催化剂前驱体;(2)将催化剂前驱体在含碳源的渗碳气体中进行渗碳处理后制得到含渗碳料的催化剂;(3)将含渗碳料的催化剂在氧化性气氛中进行钝化处理即可。本发明所提供的催化剂还可用于合成气加氢制低碳醇反应,结果表明本发明所制备的催化剂可通过动态碳层封装双金属Cu–Co和Cu–Fe抑制了合成气加氢反应过程中相分离,极大增加了低碳醇的选择性,并表现出高稳定性。本发明所提供的方法为实现制备高选择性高稳定性合成气制低碳醇催化剂开创了一个有前景的途径。

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