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公开(公告)号：CN115627546A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211425412.0
申请日：2022-11-15
Applicant: 厦门大学
IPC: D01D5/00
Abstract: 本申请涉及一种电流体近场直写射流引发的方法，包括电流体直写设备，所述方法包括如下步骤：步骤一，采用直写设备进行远场直写，通过直写参数调控，在不产生放电击穿的前提下，确定在最小高度和最小供液流量下射流引发电压的临界值，实现远场射流的引发；步骤二，重复多次步骤一，在保证稳态射流的前提下，改变所述高度参数，记录多组所述高度、电压及供液流量等参数用于编辑程序，以获取所述高度、电压及供液流量的同步调节；步骤三，根据步骤一获取的参数进行最小电压下远场射流引发后，通过编辑程序，同一调节减小所述注射泵针尖与收集板的高度距离、所施加电压大小及供液流量，保证垂液的稳定，实现近场直写射流无中断、无击穿的引发。
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