材料沉积方法及用其获得的微系统

    公开(公告)号:CN116724686A

    公开(公告)日:2023-09-08

    申请号:CN202280010107.7

    申请日:2022-01-13

    Abstract: 本发明涉及材料沉积方法,包括:提供基底(2);通过化学溶液沉积CSD在基底(2)上形成HfO2膜(4);在HfO2膜(4)上沉积PbTiO3的溶液;在籽晶层(6)上沉积Pb(Zrx,Ti1‑x)O3层(8),其中0≤x≤1;和在Pb(Zrx,Ti1‑x)O3层(8)上形成叉指式电极(10)。本发明还涉及通过这种沉积方法获得的铁电微系统(1)。实验表明,这种微系统的抗疲劳性能有所提高。

Patent Agency Ranking