公开(公告)号：CN1973208A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200580020566.X

申请日：2005-06-21

Applicant: 卡普雷斯股份有限公司

Inventor： 彼得·福尔默·尼耳森 ,  彼得·R·E·彼得森 ,  杰斯波·阿德曼·汉森

IPC: G01R3/00

CPC classification number: G01R27/2676

Abstract: 一种用于提供探头相对于支撑衬底对准的方法，包括的步骤为：提供限定平面表面和边缘的所述支撑衬底，所述衬底进一步限定第一晶体平面；在所述支撑衬底所述表面上提供第一掩模，所述第一掩模在所述边缘所述表面上限定第一外露区域；以及提供特定的刻蚀剂、通过所述刻蚀剂蚀刻所述第一外露区域形成的凹穴，所述凹穴限定第一侧壁、相对的第二侧壁、远离所述边缘的端壁和底壁。该方法还包括提供限定平面表面和与所述第一晶体平面相同的第二晶体平面的探头衬底；使所述探头衬底定位，从而当使用特定的刻蚀剂由所述探头衬底形成探头时使所述第一和第二晶体平面相同定位，所述探头把全等的表面限定到所述第一侧壁和第二侧壁上。

公开(公告)号：CN1973208B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200580020566.X

申请日：2005-06-21

Applicant: 卡普雷斯股份有限公司

Inventor： 彼得·福尔默·尼耳森 ,  彼得·R·E·彼得森 ,  杰斯波·阿德曼·汉森

IPC: G01R3/00

CPC classification number: G01R27/2676

Abstract: 一种用于提供探头相对于支撑衬底对准的方法，包括的步骤为：提供限定平面表面和边缘的所述支撑衬底，所述衬底进一步限定第一晶体平面；在所述支撑衬底所述表面上提供第一掩模，所述第一掩模在所述边缘所述表面上限定第一外露区域；以及提供特定的刻蚀剂、通过所述刻蚀剂蚀刻所述第一外露区域形成的凹穴，所述凹穴限定第一侧壁、相对的第二侧壁、远离所述边缘的端壁和底壁。该方法还包括提供限定平面表面和与所述第一晶体平面相同的第二晶体平面的探头衬底；使所述探头衬底定位，从而当使用特定的刻蚀剂由所述探头衬底形成探头时使所述第一和第二晶体平面相同定位，所述探头把全等的表面限定到所述第一侧壁和第二侧壁上。

公开(公告)号：CN102305896B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201110138198.6

申请日：2005-06-21

Applicant: 卡普雷斯股份有限公司

Inventor： 彼得·福尔默·尼耳森 ,  彼得·R·E·彼得森 ,  杰斯波·阿德曼·汉森

IPC: G01R31/00 ,  G01R3/00

CPC classification number: G01R1/07392 ,  G01R1/06727 ,  G01R3/00 ,  G01R31/2887 ,  Y10T29/49204 ,  Y10T29/49222

Abstract: 一种用于提供探头相对于支撑衬底对准的方法，包括的步骤为：提供限定平面表面和边缘的所述支撑衬底，所述衬底进一步限定第一晶体平面；在所述支撑衬底所述表面上提供第一掩模，所述第一掩模在所述边缘所述表面上限定第一外露区域；以及提供特定的刻蚀剂、通过所述刻蚀剂蚀刻所述第一外露区域形成的凹穴，所述凹穴限定第一侧壁、相对的第二侧壁、远离所述边缘的端壁和底壁。该方法还包括提供限定平面表面和与所述第一晶体平面相同的第二晶体平面的探头衬底；使所述探头衬底定位，从而当使用特定的刻蚀剂由所述探头衬底形成探头时使所述第一和第二晶体平面相同定位，所述探头把全等的表面限定到所述第一侧壁和第二侧壁上。

公开(公告)号：CN102305896A

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN201110138198.6

申请日：2005-06-21

Applicant: 卡普雷斯股份有限公司

Inventor： 彼得·福尔默·尼耳森 ,  彼得·R·E·彼得森 ,  杰斯波·阿德曼·汉森

IPC: G01R31/00 ,  G01R3/00

CPC classification number: G01R1/07392 ,  G01R1/06727 ,  G01R3/00 ,  G01R31/2887 ,  Y10T29/49204 ,  Y10T29/49222

Abstract: 一种用于提供探头相对于支撑衬底对准的方法，包括的步骤为：提供限定平面表面和边缘的所述支撑衬底，所述衬底进一步限定第一晶体平面；在所述支撑衬底所述表面上提供第一掩模，所述第一掩模在所述边缘所述表面上限定第一外露区域；以及提供特定的刻蚀剂、通过所述刻蚀剂蚀刻所述第一外露区域形成的凹穴，所述凹穴限定第一侧壁、相对的第二侧壁、远离所述边缘的端壁和底壁。该方法还包括提供限定平面表面和与所述第一晶体平面相同的第二晶体平面的探头衬底；使所述探头衬底定位，从而当使用特定的刻蚀剂由所述探头衬底形成探头时使所述第一和第二晶体平面相同定位，所述探头把全等的表面限定到所述第一侧壁和第二侧壁上。