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公开(公告)号：CN109154680A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780026114.5
申请日：2017-03-28
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G02B5/0891 , G02B1/14 , G02B1/16 , G02B5/0816 , G03F7/7015 , G03F7/70916 , G03F7/70941 , G03F7/70958 , G03F2007/2067 , G21K1/062 , G21K2201/067
Abstract: 本发明涉及一种光学元件(14)，特别是EUV光刻的光学元件(14)，其包括：基板(15)、施加到基板(15)上的反射涂层(16)和导电涂层(19)，该导电涂层(19)在基板(15)和反射涂层(16)之间延伸并且具有拉张应力下的至少一个第一层(22a)和压缩应力下的至少一个第二层(22b)。该导电涂层(19)具有在基板(15)上横向延伸超出反射涂层(16)的至少一个段(20)。本发明还涉及光学组件、特别是EUV光刻系统，其包括这种类型的至少一个光学元件(14)。
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公开(公告)号：CN104335122B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201380028021.8
申请日：2013-03-14
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G02F1/0128 , B82Y10/00 , G02B5/0816 , G02B5/0891 , G02B17/06 , G02B26/0816 , G02B27/0068 , G03F7/2008 , G03F7/70266 , G03F7/70891 , G03F7/7095 , G03F7/70958 , G21K1/062
Abstract: 本发明涉及一种光学元件(21)，包括基板反射涂层(31)具有多个层对，所述多个层对具有由高折射率材料和低折射率材料构成的交替层(33a,33b)，其中，由磁致伸缩材料构成的至少一个活性层(34)形成在反射涂层(31)内。本发明还涉及一种光学元件(21)，其具有基板(30)和反射涂层(31)，其中，所述光学元件(21)包括至少一个第一活性层和至少一个第二活性层，至少一个第一活性层包括具有正磁致伸缩的材料，至少一个第二活性层包括具有负磁致伸缩的材料，其中，活性层的层厚度和层材料选择成使得由磁场引起的机械应力变化或活性层长度变化彼此相互补偿。本发明还涉及一种光学装置，尤其是EUV光刻设备，其包括至少一个这种光学元件(21)。(30)和反射涂层(31)。尤其对于EUV辐射的反射，
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公开(公告)号：CN103250101A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201180056581.5
申请日：2011-11-17
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G01K11/00 , G01B9/02024 , G01B9/02081 , G01B2290/70 , G01M11/005 , G02B7/181 , G03F7/708 , G03F7/7085 , G03F7/70891
Abstract: 本发明涉及用于确定在光学系统，尤其是微光刻投射曝光设备中的反射镜(101、201、401、601、701、801)的发热状况的方法和布置。在实施例中，反射镜为EUV反射镜，以及根据本发明的方法包含以下步骤：将至少一个输入测量光束偏转至反射镜(101、201、401、601、701、801)上；测定由输入测量光束在与反射镜(101、201、401、601、701、801)的相互作用之后产生的至少一个输出测量光束的至少一个光学参数；以及基于所述参数确定反射镜(101、201、401、601、701、801)的发热状况。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103250101B
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201180056581.5
申请日：2011-11-17
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G01K11/00 , G01B9/02024 , G01B9/02081 , G01B2290/70 , G01M11/005 , G02B7/181 , G03F7/708 , G03F7/7085 , G03F7/70891
Abstract: 本发明涉及用于确定在光学系统，尤其是微光刻投射曝光设备中的反射镜(101、201、401、601、701、801)的发热状况的方法和布置。在实施例中，反射镜为EUV反射镜，以及根据本发明的方法包含以下步骤：将至少一个输入测量光束偏转至反射镜(101、201、401、601、701、801)上；测定由输入测量光束在与反射镜(101、201、401、601、701、801)的相互作用之后产生的至少一个输出测量光束的至少一个光学参数；以及基于所述参数确定反射镜(101、201、401、601、701、801)的发热状况。
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公开(公告)号：CN103443863A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201280015247.X
申请日：2012-03-21
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G21K1/06
CPC classification number: G21K1/062 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G03F7/70075 , G03F7/70166 , G03F7/702 , G21K2201/067
Abstract: 一种EUV反射镜布置(100)，具有彼此并排布置并且共同形成所述反射镜布置的反射镜表面的多个反射镜元件(110、111、112)。每个反射镜元件具有基板(120)和多层布置(130)，所述多层布置被施加到所述基板上，并关于来自极紫外范围(EUV)的辐射具有反射效果，所述多层布置包括多个层对(135)，该层对具有由高折射率层材料和低折射率层材料组成的交替层。所述多层布置具有活性层(140)，该活性层布置在辐射进入表面和基板之间，并由压电活性层材料组成，可通过电场的作用来改变所述活性层的层厚度(z)；对于每个活性层，提供电极布置，用于产生作用于所述活性层的电场。
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公开(公告)号：CN109154680B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201780026114.5
申请日：2017-03-28
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种光学元件(14)，特别是EUV光刻的光学元件(14)，其包括：基板(15)、施加到基板(15)上的反射涂层(16)和导电涂层(19)，该导电涂层(19)在基板(15)和反射涂层(16)之间延伸并且具有拉张应力下的至少一个第一层(22a)和压缩应力下的至少一个第二层(22b)。该导电涂层(19)具有在基板(15)上横向延伸超出反射涂层(16)的至少一个段(20)。本发明还涉及光学组件、特别是EUV光刻系统，其包括这种类型的至少一个光学元件(14)。
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公开(公告)号：CN103443863B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201280015247.X
申请日：2012-03-21
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G21K1/06
CPC classification number: G21K1/062 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G03F7/70075 , G03F7/70166 , G03F7/702 , G21K2201/067
Abstract: 一种EUV反射镜布置(100)，具有彼此并排布置并且共同形成所述反射镜布置的反射镜表面的多个反射镜元件(110、111、112)。每个反射镜元件具有基板(120)和多层布置(130)，所述多层布置被施加到所述基板上，并关于来自极紫外范围(EUV)的辐射具有反射效果，所述多层布置包括多个层对(135)，该层对具有由高折射率层材料和低折射率层材料组成的交替层。所述多层布置具有活性层(140)，该活性层布置在辐射进入表面和基板之间，并由压电活性层材料组成，可通过电场的作用来改变所述活性层的层厚度(z)；对于每个活性层，提供电极布置，用于产生作用于所述活性层的电场。
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公开(公告)号：CN104335122A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201380028021.8
申请日：2013-03-14
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G02F1/0128 , B82Y10/00 , G02B5/0816 , G02B5/0891 , G02B17/06 , G02B26/0816 , G02B27/0068 , G03F7/2008 , G03F7/70266 , G03F7/70891 , G03F7/7095 , G03F7/70958 , G21K1/062
Abstract: 本发明涉及一种光学元件(21)，包括基板(30)和反射涂层(31)。尤其对于EUV辐射的反射，反射涂层(31)具有多个层对，所述多个层对具有由高折射率材料和低折射率材料构成的交替层(33a,33b)，其中，由磁致伸缩材料构成的至少一个活性层(34)形成在反射涂层(31)内。本发明还涉及一种光学元件(21)，其具有基板(30)和反射涂层(31)，其中，所述光学元件(21)包括至少一个第一活性层和至少一个第二活性层，至少一个第一活性层包括具有正磁致伸缩的材料，至少一个第二活性层包括具有负磁致伸缩的材料，其中，活性层的层厚度和层材料选择成使得由磁场引起的机械应力变化或活性层长度变化彼此相互补偿。本发明还涉及一种光学装置，尤其是EUV光刻设备，其包括至少一个这种光学元件(21)。
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