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公开(公告)号：CN102472976A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080030955.1
申请日：2010-06-01
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G03F7/70958 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G03F7/70316 , G03F7/70941 , G21K1/062 , G21K2201/064 , G21K2201/067
Abstract: 本发明涉及一种用于EUV波长范围的反射镜(1a；1b；1c)，所述反射镜包括基底(S)和层布置，其中所述层布置包括多个层子系统(P”、P”’)，每个层子系统由单独层的至少两个周期(P2、P3)的周期序列构成，其中所述周期(P2、P3)包括作为高折射率层(H”、H”’)和低折射率层(L”、L”’)的两个单独层，高折射率层(H”、H”’)和低折射率层(L”、L”’)由不同材料构成，并且在每个层子系统(P”、P”’)内具有恒定厚度(d2、d3)，所述恒定厚度(d2、d3)与相邻层子系统的周期的厚度偏离。所述反射镜的特征在于第二远离所述基底(S)的层子系统(P”)具有周期(P2)的序列，使得最远离基底(S)的层子系统(P”’)的第一个高折射率层(H”’)直接接续第二远离所述基底的层子系统(P”)的最后一个高折射率层(H”)，并且/或者，最远离所述基底(S)的层子系统(P”’)的周期(P3)的数目(N3)大于第二远离所述基底(S)的层子系统(P”)的周期(P2)的数目(N2)。本发明还涉及包括这种反射镜(1a；1b；1c)的用于微光刻的投射物镜，并且还涉及包括这种投射物镜的投射曝光设备。
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公开(公告)号：CN102939567B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201180029301.1
申请日：2011-06-14
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G21K5/04 , G03F7/70233 , G03F7/70916
Abstract: 为了在用EUV辐射（4）照射用于EUV光刻的反射光学元件（2）时，防止该反射光学元件带电，提出了一种用于EUV光刻的光学系统，该光学系统包含：反射光学元件（2），其包括具有高反射涂层（22）的基底（21），在用EUV辐射（4）照射该基底时，该基底发出二次电子；以及带电粒子的源（3），其布置为使得能够将带电粒子施加于反射光学元件（2），其中源（3）为浸没电子枪，其将电子施加至反射光学元件（2），作为用于载流子补偿的唯一手段。
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公开(公告)号：CN102395907A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201080016694.8
申请日：2010-03-19
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G02B5/0875 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G03F7/70958 , G21K1/062
Abstract: 本发明涉及一种用于EUV波长范围的反射镜，所述反射镜包括施加在基底上的层布置，其中所述层布置包括多个层子系统(P”、P’”)，每个层子系统由多个单独层的至少一个周期(P2、P3)的周期序列构成，其中所述周期(P2、P3)包括由不同材料构成的两个单独层，用于高折射率层(H”、H’”)和低折射率层(L”、L’”)，并且在每个层子系统(P”、P’”)内具有恒定厚度(d2、d3)，所述恒定厚度(d2、d3)与相邻层子系统的周期的厚度偏离。所述反射镜的特征在于最远离所述基底的层子系统(P’”)的周期(P3)的数目(N3)大于第二远离所述基底的层子系统(P”)的周期(P2)的数目(N2)，并且/或者，最远离所述基底的层子系统(P”’)的高折射率层(H’”)的厚度与第二远离所述基底的层子系统(P”)的高折射率层(H”)的厚度偏离超过0.1nm。本发明还涉及包括这种反射镜的用于微光刻的投射物镜，并且还涉及包括这种投射物镜的投射曝光设备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102713690B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201080056967.1
申请日：2010-11-08
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G02B5/0891 , B82Y30/00 , G02B1/10 , G02B1/105 , G02B1/14 , G02B5/0816 , G03F7/70233 , G03F7/70316 , G03F7/70958
Abstract: 本发明涉及用于EUV波长范围的反射镜（la；la’；lb；lb’；lc；lc’），该反射镜包含基底（S）和层布置，其中该层布置包括至少一个表面层系统（P”’），该表面层系统（P”’）由单独层的至少两个周期（P3）的周期性序列构成，其中周期（P3）包括两个由不同的材料构成的单独层，该不同的材料用于高折射率层（H”’）和低折射率层（L”’）；其中该层布置包括至少一个基底表面保护层（SPL，Lp）或至少一个表面保护层系统（SPLS），其在基底和单独层的至少两个周期的周期性序列之间，具有大于20nm，特别是50nm的厚度。
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公开(公告)号：CN102472976B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201080030955.1
申请日：2010-06-01
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G03F7/70958 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G03F7/70316 , G03F7/70941 , G21K1/062 , G21K2201/064 , G21K2201/067
Abstract: 本发明涉及一种用于EUV波长范围的反射镜(1a；1b；1c)，所述反射镜包括基底(S)和层布置，其中所述层布置包括多个层子系统(P”、P”’)，每个层子系统由单独层的至少两个周期(P2、P3)的周期序列构成，其中所述周期(P2、P3)包括作为高折射率层(H”、H”’)和低折射率层(L”、L”’)的两个单独层，高折射率层(H”、H”’)和低折射率层(L”、L”’)由不同材料构成，并且在每个层子系统(P”、P”’)内具有恒定厚度(d2、d3)，所述恒定厚度(d2、d3)与相邻层子系统的周期的厚度偏离。所述反射镜的特征在于第二远离所述基底(S)的层子系统(P”)具有周期(P2)的序列，使得最远离基底(S)的层子系统(P”’)的第一个高折射率层(H”’)直接接续第二远离所述基底的层子系统(P”)的最后一个高折射率层(H”)，并且/或者，最远离所述基底(S)的层子系统(P”’)的周期(P3)的数目(N3)大于第二远离所述基底(S)的层子系统(P”)的周期(P2)的数目(N2)。本发明还涉及包括这种反射镜(1a；1b；1c)的用于微光刻的投射物镜，并且还涉及包括这种投射物镜的投射曝光设备。
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公开(公告)号：CN102395907B
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201080016694.8
申请日：2010-03-19
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G02B5/0875 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G03F7/70958 , G21K1/062
Abstract: 本发明涉及一种用于EUV波长范围的反射镜，所述反射镜包括施加在基底上的层布置，其中所述层布置包括多个层子系统(P”、P’”)，每个层子系统由多个单独层的至少一个周期(P2、P3)的周期序列构成，其中所述周期(P2、P3)包括由不同材料构成的两个单独层，用于高折射率层(H”、H’”)和低折射率层(L”、L’”)，并且在每个层子系统(P”、P’”)内具有恒定厚度(d2、d3)，所述恒定厚度(d2、d3)与相邻层子系统的周期的厚度偏离。所述反射镜的特征在于最远离所述基底的层子系统(P’”)的周期(P3)的数目(N3)大于第二远离所述基底的层子系统(P”)的周期(P2)的数目(N2)，并且/或者，最远离所述基底的层子系统(P”’)的高折射率层(H’”)的厚度与第二远离所述基底的层子系统(P”)的高折射率层(H”)的厚度偏离超过0.1nm。本发明还涉及包括这种反射镜的用于微光刻的投射物镜，并且还涉及包括这种投射物镜的投射曝光设备。
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公开(公告)号：CN102939567A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201180029301.1
申请日：2011-06-14
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G21K5/04 , G03F7/70233 , G03F7/70916
Abstract: 为了在用EUV辐射（4）照射用于EUV光刻的反射光学元件（2）时，防止该反射光学元件带电，提出了一种用于EUV光刻的光学系统，该光学系统包含：反射光学元件（2），其包括具有高反射涂层（22）的基底（21），在用EUV辐射（4）照射该基底时，该基底发出二次电子；以及带电粒子的源（3），其布置为使得能够将带电粒子施加于反射光学元件（2），其中源（3）为浸没电子枪，其将电子施加至反射光学元件（2），作为用于载流子补偿的唯一手段。
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公开(公告)号：CN102713690A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080056967.1
申请日：2010-11-08
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G02B5/0891 , B82Y30/00 , G02B1/10 , G02B1/105 , G02B1/14 , G02B5/0816 , G03F7/70233 , G03F7/70316 , G03F7/70958
Abstract: 本发明涉及用于EUV波长范围的反射镜（la；la'；lb；lb'；lc；lc'），该反射镜包含基底（S）和层布置，其中该层布置包括至少一个表面层系统（P'''），该表面层系统（P'''）由单独层的至少两个周期（P3）的周期性序列构成，其中周期（P3）包括两个由不同的材料构成的单独层，该不同的材料用于高折射率层（H'''）和低折射率层（L'''）；其中该层布置包括至少一个基底表面保护层（SPL，Lp）或至少一个表面保护层系统（SPLS），其在基底和单独层的至少两个周期的周期性序列之间，具有大于20nm，特别是50nm的厚度。
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