公开(公告)号：CN103151390B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201310083020.5

申请日：2013-03-15

Applicant: 南通大学

Inventor： 张雪锋 ,  陈建新 ,  章国安 ,  张士兵 ,  魏崃 ,  王志亮 ,  尹海宏

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

Abstract: 本发明涉及一种隧穿场效应晶体管，在绝缘层上形成凸出于该绝缘层的轻掺杂或不掺杂的衬底脊，源极区和漏极区在间隔一定距离的所述脊上形成，使源极区和漏极区之间存有一间隔区，在对应于源极区和间隔区的一侧面上形成绝缘介质层，在该绝缘介质层的外侧面形成栅电极，在源极区未被绝缘介质层覆盖且与所述栅电极平行的侧面形成欧姆接触的源电极，在漏极区上形成欧姆接触个漏电极。优点是，克服了掺杂原子扩散导致的pn结耗尽展宽造成电子隧穿几率下降的问题；并且电子隧穿发生在整个源区，电子隧穿面积大，因而能够获得大的开态电流；通过平行设置的栅电极-源电极结构简便地实现电子的垂直隧穿。

公开(公告)号：CN103151390A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201310083020.5

申请日：2013-03-15

Applicant: 南通大学

Inventor： 张雪锋 ,  陈建新 ,  章国安 ,  张士兵 ,  魏崃 ,  王志亮 ,  尹海宏

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

Abstract: 本发明涉及一种隧穿场效应晶体管，在绝缘层上形成凸出于该绝缘层的轻掺杂或不掺杂的衬底脊，源极区和漏极区在间隔一定距离的所述脊上形成，使源极区和漏极区之间存有一间隔区，在对应于源极区和间隔区的一侧面上形成绝缘介质层，在该绝缘介质层的外侧面形成栅电极，在源极区未被绝缘介质层覆盖且与所述栅电极平行的侧面形成欧姆接触的源电极，在漏极区上形成欧姆接触个漏电极。优点是，克服了掺杂原子扩散导致的pn结耗尽展宽造成电子隧穿几率下降的问题；并且电子隧穿发生在整个源区，电子隧穿面积大，因而能够获得大的开态电流；通过平行设置的栅电极-源电极结构简便地实现电子的垂直隧穿。