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公开(公告)号：CN115575377B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202211193272.9
申请日：2022-09-28
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明属于等离激元纳米材料制备领域，公开了一种Ag‑Au级联纳米阵列SERS基底、制备方法与应用。具体为：以多孔阳极氧化铝为模板，通过纳米压印获得聚碳酸酯聚合物纳米柱阵列；依次在纳米柱顶端通过掠射角镀膜方式沉积纳米Ag膜和厚Cu膜，随后将Ag/Cu膜取下，得到中空Ag纳米阵列；在中空Ag纳米阵列表面电化学沉积修饰金纳米颗粒，得到Ag‑Au级联纳米阵列SERS基底。该方法可以高效构建大面积均匀的级联纳米阵列结构SERS基底，制备工艺简单可控，可重复性好，检测均匀性好，对结晶紫(CV)的SERS信号相对标准偏差值可低至6.65％；得到的SERS基底具有级联尺度特征，灵敏度高，并且可提供更丰富的分子吸附位点，对CV的检测浓度低至10‑9M。
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公开(公告)号：CN115575377A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211193272.9
申请日：2022-09-28
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明属于等离激元纳米材料制备领域，公开了一种Ag‑Au级联纳米阵列SERS基底、制备方法与应用。具体为：以多孔阳极氧化铝为模板，通过纳米压印获得聚碳酸酯聚合物纳米柱阵列；依次在纳米柱顶端通过掠射角镀膜方式沉积纳米Ag膜和厚Cu膜，随后将Ag/Cu膜取下，得到中空Ag纳米阵列；在中空Ag纳米阵列表面电化学沉积修饰金纳米颗粒，得到Ag‑Au级联纳米阵列SERS基底。该方法可以高效构建大面积均匀的级联纳米阵列结构SERS基底，制备工艺简单可控，可重复性好，检测均匀性好，对结晶紫(CV)的SERS信号相对标准偏差值可低至6.65％；得到的SERS基底具有级联尺度特征，灵敏度高，并且可提供更丰富的分子吸附位点，对CV的检测浓度低至10‑9M。
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公开(公告)号：CN113715361A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111002456.8
申请日：2021-08-30
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于聚合物纳米柱阵列结构的金银合金膜SERS基底的制备方法，包括如下步骤：步骤(1)、制备PC薄膜，该膜光学透明且表面无孔洞，是制备周期性PC突起阵列结构的前提；步骤(2)、进行热压印，获得具有周期性的PC纳米柱阵列；步骤(3)、进行蒸镀，获得金@PC突起阵列结构；步骤(4)、再次蒸镀，获得银金复合膜的阵列结构的SERS基底。本发明制得的纳米结构基底，具有周期性PC突起阵列结构，且经过表面复合金属化处理，能构成多热点结构，从而为电磁场增强提供了丰富的热点类型，具有SERS灵敏度好、重复性好、稳定性强且热点面积大的优点。
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