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公开(公告)号：CN110702659A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910914347.X
申请日：2019-09-26
Applicant: 南通大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种基于双面金属光波导热增强刻蚀SERS芯片的方法，包括如下步骤：第一步：玻璃片处理；第二步：蒸发镀膜法镀厚银膜；第三步：磁控溅射法镀薄银膜；第四步：制成SERS芯片。本发明的操作简单，不需要复杂的操作步骤并且对环境温度没有要求。本发明的芯片价格实惠，所需要的原料较为廉价，节约成本。本发明的芯片表征直接，可以直接用SEM进行表征，可以直接滴加探针分子测试拉曼信号。
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