公开(公告)号：CN113567416B

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202110835230.X

申请日：2021-07-23

Applicant: 南通大学

Inventor： 王超男 ,  徐广明 ,  沈希龙 ,  何川 ,  周子强

IPC: G01N21/65 ,  B82Y15/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于CMOS模板及PS球图案化自组装的SERS基底的制备方法及SERS基底，本发明以廉价的CMOS芯片为模板，首先利用PDMS复制得到CMOS表面纳米凸起阵列的负结构，并在结构化的PDMS表面进行PS微球的图案化自组装，再通过等离子体处理使图案化的PS微球表面形成纳米级的粗糙度，最后通过磁控溅射在该粗糙表面生长银纳米颗粒，得到可用于原位检测的柔性透明SERS基底。本发明提供的基底灵敏度高，均匀性好，可对目标分子实现低浓度检测，且成(56)对比文件阴启明;王晓龙;齐冬梅;王轲;祁建宏.超亲疏水图案表面PS微球拉膜法制备SERS基底及SERS效应趋势.广东化工.2020,(第02期),全文.陈实;吴静;王超男;方靖淮.Ag纳米粒子修饰聚合物纳米尖锥阵列的SERS衬底制备.光谱学与光谱分析.2020,(第03期),全文.

公开(公告)号：CN113567416A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202110835230.X

申请日：2021-07-23

Applicant: 南通大学

Inventor： 王超男 ,  徐广明 ,  沈希龙 ,  何川 ,  周子强

IPC: G01N21/65 ,  B82Y15/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于CMOS模板及PS球图案化自组装的SERS基底的制备方法及SERS基底，本发明以廉价的CMOS芯片为模板，首先利用PDMS复制得到CMOS表面纳米凸起阵列的负结构，并在结构化的PDMS表面进行PS微球的图案化自组装，再通过等离子体处理使图案化的PS微球表面形成纳米级的粗糙度，最后通过磁控溅射在该粗糙表面生长银纳米颗粒，得到可用于原位检测的柔性透明SERS基底。本发明提供的基底灵敏度高，均匀性好，可对目标分子实现低浓度检测，且成本低，消耗小，操作简单。此外，CMOS芯片模板可重复利用，经济环保。