公开(公告)号：CN118032860A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202211383798.3

申请日：2022-11-07

Applicant: 南通大学

Inventor： 王志亮 ,  徐天浩 ,  刘宏宇 ,  杨雨辰 ,  孙力 ,  尹海宏 ,  宋长青 ,  张智超 ,  崔子豪

IPC: G01N27/04

Abstract: 本发明揭示了一种温度校正式宽测量范围的湿度传感器，湿度敏感材料位于一对电极之间构成湿度敏感电阻，沿着电极的长度方向上，不同位置处的湿度敏感材料具有不同的最佳感湿灵敏度；湿度传感器还设置有MCU，MCU根据温度传感元件测量得到的温度T，推算标准数据库中的该温度T对应的所有湿度敏感电阻R，得到该温度T对应的湿度敏感电阻R序列，再根据当次测量得到的湿度敏感电阻R，获得对应温度T和对应湿度敏感电阻R的湿度H。

公开(公告)号：CN116505241A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202210053609.X

申请日：2022-01-18

Applicant: 南通大学

Inventor： 王志亮 ,  朱鸿章 ,  徐天浩 ,  陈旭 ,  刘岩 ,  杨雨辰 ,  豆飞娟

IPC: H01Q1/38 ,  B32B27/28 ,  B32B27/06 ,  B32B7/10 ,  B32B3/08 ,  C08J5/18 ,  C08L79/08 ,  B29C69/00

Abstract: 本发明涉及一种柔性微波器件的制造方法，以聚酰亚胺薄膜为基底。所述聚酰亚胺由芳香二胺单体、γ‑氨丙基三乙氧基硅烷与芳香二酐单体聚合而成；两片聚酰亚胺薄膜外凸的一面、内凹的一面所制备得到的金属银导电层面对面地被拉伸平直状态下叠合热压成型，因此两个金属银导电层将紧密接触合并构成一个导电层，导电层位于热压后的聚酰亚胺薄膜的内部，因此，无论柔性微波天线/滤波器在弯曲、揉搓、褶皱、摩擦状态，金属银导电层都受到聚酰亚胺薄膜的保护，不会受到外界的摩擦而被减薄和开裂，进一步增强了其耐弯曲、耐磨、抗剥离的机械性能。

公开(公告)号：CN221960450U

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202420633252.7

申请日：2024-03-29

Applicant: 南通大学

Inventor： 王志亮 ,  徐天浩 ,  孙力 ,  张智超

IPC: G05F1/567

Abstract: 本实用新型公开了一种高阶曲率补偿的带隙基准电路，属于模拟集成电路设计技术领域，包括启动电路，所述启动电路连接有偏置电路，偏置电路连接有基准核心电路，基准核心电路连接有折叠式运算放大器电路，折叠式运算放大器电路连接有高阶温度补偿电路，高阶温度补偿电路连接有基准电压产生电路，启动电路、偏置电路、基准核心电路、折叠式运算放大器电路、高阶温度补偿电路、基准电压产生电路均与开关管组件连接。通过上述方式，本实用新型具备宽的工作温度范围和低的温度系数，适用于有高精度和宽温度需求的使用场景。

公开(公告)号：CN222213271U

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202420716998.4

申请日：2024-04-09

Applicant: 南通大学

Inventor： 王志亮 ,  徐天浩 ,  孙力 ,  张智超

IPC: G05F1/56

Abstract: 本实用新型公开了一种集成可编程软启动电路的LDO，属于低压差稳压器技术领域，包括偏置电路，所述偏置电路上连接有不平衡比较器组件、主运放电路和开关管组件；不平衡比较器组件与主运放电路、开关管组件均连接，主运放电路连接有功率管组件，功率管组件连接有反馈电路，不平衡比较器组件、主运放电路、功率管组件均与开关管组件连接。通过上述方式，本实用新型相较于传统的软启动电路，有利于集成于LDO内部；其次，软启动时间可编程，有利于应用于复杂的使用场景。

公开(公告)号：CN221884191U

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202420633500.8

申请日：2024-03-29

Applicant: 南通大学

Inventor： 王志亮 ,  徐天浩 ,  孙力 ,  张智超

IPC: G05F1/56

Abstract: 本实用新型公开了一种无片外电容LDO，属于线性稳压器技术领域，包括偏置电路，所述偏置电路连接有误差放大器组件和开关管组件，所述误差放大器组件和开关管组件连接，误差放大器组件连接有中间级放大器组件，中间级放大器组件和开关管组件连接，开关管组件连接有反馈电阻组件。通过上述方式，LDO中环路的主极点在误差放大器组件的输出端；次主极点在LDO的输出端，最后，加入补偿电容，使整个LDO环路稳定工作；本实用相较于传统的软启动电路，有利于集成于SOC内部，消除传统LDO中大的负载电容的问题，其次，软启动时间可编程，有利于应用于复杂的使用场景。

公开(公告)号：CN222461953U

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202420780825.9

申请日：2024-04-16

Applicant: 南通大学

Inventor： 王志亮 ,  徐天浩 ,  孙力 ,  张智超

IPC: G05F1/56

Abstract: 本实用新型公开了一种集成新型缓冲电路的LDO，属于低压差稳压器技术领域，包括偏置电路，所述偏置电路连接有误差放大器组件和开关管组件，误差放大器组件和开关管组件均连接有新型缓冲电路，新型缓冲电路连接有反馈电阻组件，误差放大器组件和开关管组件连接。本实用新型相较于传统的LDO电路，集成了新型缓冲电路，同时，实现了对LDO的低电流启动和电源抑制比的增强。

公开(公告)号：CN219872231U

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202321104748.7

申请日：2023-05-10

Applicant: 南通大学

Inventor： 王志亮 ,  孙力 ,  徐天浩 ,  张智超

IPC: G05F1/56 ,  H04L12/40

Abstract: 本实用新型公开了一种车规级LIN总线高瞬态响应LDO，属于汽车总线技术，包括LDO主环路，LDO主环路上有NMOS调整管N0、主环路运放OPa、新型摆率增强模块、保护模块、超级源随器和反馈电阻RFB；N0电连接OPa、新型摆率增强模块、保护模块和RFB；OPa电连接新型摆率增强模块和超级源随器；保护模块与新型摆率增强模块和超级源随器电连接。通过上述方式，本实用新型相比传统主负反馈的负载电容进行补偿的方式提升了补偿效果并降低了响应时间。