公开(公告)号：CN103165697B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201310110554.2

申请日：2013-04-01

Applicant: 南通大学

Inventor： 王强 ,  魏存露 ,  黄倩露 ,  花国然 ,  孙树叶 ,  朱海峰

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种选择性掺杂异质结太阳能电池，包括P型晶硅层、N型晶硅层、顶电极、底电极，N型晶硅层的上表面依次淀积有非晶硅层、氮化硅抗反射层，非晶硅层内含有从N型晶硅层扩散入的磷元素，非晶硅层与N型晶硅层之间形成同型异质结，非晶硅层具有容顶电极穿过的槽，氮化硅抗反射层嵌入槽内，非晶硅层与顶电极之间通过所述氮化硅抗反射层绝缘，N型晶硅层的顶电极区为重掺杂区。本结构电池的非晶硅薄膜与电池上表面的结合更紧密，提高了异质结的质量，同时选择性掺杂顶电极区的存在可以进一步减小电池的串联电阻，提高电池的性能。电池中的异质结和选择性顶电极区同步形成，减少了电池的制备工艺步骤，电池中杂质浓度的分布更均匀。

公开(公告)号：CN103165761A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201310112386.0

申请日：2013-04-01

Applicant: 南通大学

Inventor： 花国然 ,  王强 ,  姚滢 ,  孙树叶 ,  朱海峰

IPC: H01L31/20

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池的制造方法，步骤如下：应用离子注入的方法将杂质注入硅片形成PN结；淀积含有掺杂元素的二氧化硅薄膜；除去硅片上表面电极区以外的二氧化硅；在硅片上表面淀积本征非晶硅层；将硅片置于干氧环境中进行高温扩散，使非电极区的掺杂元素逆向扩散入非晶硅层，电极区氧化层中的掺杂元素进一步向电极区扩散，同时形成表层氧化层；去除硅片表面的非晶硅层和氧化层；在硅片表面淀积氮化硅抗反射薄膜；最后烧制金属电极。本发明通过离子注入的方式，降低了表面杂质浓度，后通过高温过程，使非晶硅吸收非电极区的杂质，进一步降低了非电极区的掺杂浓度，致使电极区与非电极区的掺杂浓度差加大，提高了电池的性能。

公开(公告)号：CN103165761B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201310112386.0

申请日：2013-04-01

Applicant: 南通大学

Inventor： 章国安 ,  王强 ,  姚滢 ,  孙树叶 ,  朱海峰

IPC: H01L31/20

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池的制造方法，步骤如下：应用离子注入的方法将杂质注入硅片形成PN结；淀积含有掺杂元素的二氧化硅薄膜；除去硅片上表面电极区以外的二氧化硅；在硅片上表面淀积本征非晶硅层；将硅片置于干氧环境中进行高温扩散，使非电极区的掺杂元素逆向扩散入非晶硅层，电极区氧化层中的掺杂元素进一步向电极区扩散，同时形成表层氧化层；去除硅片表面的非晶硅层和氧化层；在硅片表面淀积氮化硅抗反射薄膜；最后烧制金属电极。本发明通过离子注入的方式，降低了表面杂质浓度，后通过高温过程，使非晶硅吸收非电极区的杂质，进一步降低了非电极区的掺杂浓度，致使电极区与非电极区的掺杂浓度差加大，提高了电池的性能。

公开(公告)号：CN103165697A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201310110554.2

申请日：2013-04-01

Applicant: 南通大学

Inventor： 花国然 ,  王强 ,  孙树叶 ,  朱海峰

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种选择性掺杂异质结太阳能电池，包括P型晶硅层、N型晶硅层、顶电极、底电极，N型晶硅层的上表面依次淀积有非晶硅层、氮化硅抗反射层，非晶硅层内含有从N型晶硅层扩散入的磷元素，非晶硅层与N型晶硅层之间形成同型异质结，非晶硅层具有容顶电极穿过的槽，氮化硅抗反射层嵌入槽内，非晶硅层与顶电极之间通过所述氮化硅抗反射层绝缘，N型晶硅层的顶电极区为重掺杂区。本结构电池的非晶硅薄膜与电池上表面的结合更紧密，提高了异质结的质量，同时选择性掺杂顶电极区的存在可以进一步减小电池的串联电阻，提高电池的性能。电池中的异质结和选择性顶电极区同步形成，减少了电池的制备工艺步骤，电池中杂质浓度的分布更均匀。