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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117060878A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310885482.2
申请日：2023-07-19
Applicant: 南通大学
Abstract: 本申请属于射频微机电系统器件领域，涉及一种横向振动的水平剪切波谐振器。本发明提供的横向振动的水平剪切波谐振器，自底向上依次包括衬底、介质层、压电层与顶层金属，顶层金属中电极采用两个边缘电极与叉指电极结合的形式。此外，通过优化声波的传播角度可以减小杂散模态的机电耦合系数，从而达到抑制杂散模态的效果。本发明申请的横向振动的水平剪切波模态谐振器在100MHz～600MHz频率范围内具有高机电耦合系数和杂散模态少的性能特征，为构建大带宽、低损耗的滤波器和低相位噪声的振荡器奠定基础，在射频前端中具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN116505908A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310463272.4
申请日：2023-04-26
Applicant: 南通大学
Abstract: 本申请属于射频MEMS器件领域，涉及一种横向激励的体声波谐振器。包括：压电层结构；顶部叉指双电极结构，配置于压电层结构的上表面；衬底；介质层结构，位于压电层结构与衬底之间；空腔结构，位于压电层结构下方。本申请的横向激励的体声波谐振器，采用叉指双电极结构能够实现高品质因数(Q)、高机电耦合系数(kt2)和抑制寄生模态、提高频谱光滑度的效果，并且其形成的滤波器具有大带宽、低损耗、低功耗以及陡峭的滚降，具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN118890025A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411092501.7
申请日：2024-08-09
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明的实施例提供一种横向激励体声波谐振器及其制备方法，属于射频MEMS器件领域。所述横向激励体声波谐振器包括：衬底；压电层，所述压电层位于衬底上；空腔结构，所述空腔结构设置成从衬底的上表面向下的释放腔并且所述释放腔的顶部由压电层覆盖；声学散射阵列，所述声学散射阵列设置成贯穿所述压电层的成阵列形式排布的多个孔。在本发明的实施例中，通过在横向激励体声波谐振器中设置声学散射阵列，可以达到抑制杂散模态的目的，从而具有杂散模态少的性能特点，能够实现高频、大带宽且极小带内纹波的滤波器。
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公开(公告)号：CN116667810A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310470060.9
申请日：2023-04-27
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明属于射频微机电系统(MEMS)器件领域，涉及一种高频兰姆(Lamb)波谐振器及制备方法。本发明提供的Lamb波谐振器，包括具有中部内凹的释放腔且上表面沉积有释放保护层的衬底、上表面为顶部电极结构且下表面为底部电极结构的压电振动结构以及设置于所述电极结构四周的焊盘。本发明申请的高频Lamb波谐振器，通过优化工艺形成边缘剪切角趋近60°的底部低阻硅电极以高质量生长压电振动结构，提高了谐振器的Q值从而使器件的性能得到提升。
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公开(公告)号：CN115955207A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211623370.1
申请日：2022-12-16
Applicant: 南通大学
Abstract: 本申请属于射频MEMS器件领域，公开了一种基于铌酸锂单晶薄膜的反对称模态谐振器及制备方法。本发明提供的反对称模态谐振器，包括压电振动结构、配置于压电振动结构上表面的顶部电极、衬底及位于压电振动结构与衬底之间的介质层，衬底与介质层配置用于释放压电振动结构的释放腔。本发明申请的铌酸锂单晶薄膜反对称模态谐振器，具有高机电耦合系数和无杂散模态的特点，能够实现高频、大带宽且极小带内纹波的滤波器。
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