公开(公告)号：CN102945892B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201210440946.0

申请日：2012-11-07

Applicant: 南通大学

Inventor： 邓洁 ,  花国然 ,  王强 ,  张竹青 ,  曹海平 ,  周雨薇 ,  朱海峰 ,  居志兰

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池制造方法，巧妙的利用氢氟酸缓冲液对二氧化硅、氮化硅的刻蚀比，保留氮化硅掩蔽层作为电池的抗反射层，因此本发明烧制电极之前无需再单独制作抗反射层，简化了工艺，提高了生产效率。本发明利用氮化硅对杂质的阻挡性很好的解决了太阳能电池选择性掺杂的问题。提高了金属电极以下的区域的掺杂浓度，降低了串联电阻，减小了电极以外区域的掺杂浓度减少了光生载流子的复合，提高了短路电流。而非牺牲性的氮化硅掩蔽层的使用既可以防止其他杂质元素扩散进入硅片，又可以将工艺中的氮化硅刻蚀槽为主栅线的对准标记，使生产时的对准更加简单化。

公开(公告)号：CN102945892A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201210440946.0

申请日：2012-11-07

Applicant: 南通大学

Inventor： 花国然 ,  王强 ,  张竹青 ,  曹海平 ,  周雨薇 ,  朱海峰 ,  居志兰

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池制造方法，巧妙的利用氢氟酸缓冲液对二氧化硅、氮化硅的刻蚀比，保留氮化硅掩蔽层作为电池的抗反射层，因此本发明烧制电极之前无需再单独制作抗反射层，简化了工艺，提高了生产效率。本发明利用氮化硅对杂质的阻挡性很好的解决了太阳能电池选择性掺杂的问题。提高了金属电极以下的区域的掺杂浓度，降低了串联电阻，减小了电极以外区域的掺杂浓度减少了光生载流子的复合，提高了短路电流。而非牺牲性的氮化硅掩蔽层的使用既可以防止其他杂质元素扩散进入硅片，又可以将工艺中的氮化硅刻蚀槽为主栅线的对准标记，使生产时的对准更加简单化。