公开(公告)号：CN119065058A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202411332513.2

申请日：2024-09-24

Applicant: 南通大学

Inventor： 荣巍巍 ,  梁图禄 ,  肖子晔 ,  王白羽 ,  林琛皓 ,  何云 ,  周宇轩 ,  曹钲宇 ,  张恩硕 ,  倪尉祥 ,  时硕

IPC: G02B6/14 ,  G02B6/122 ,  G02B6/12

Abstract: 本发明属于集成光电子技术领域，具体涉及一种TE2模式和TM1模式之间转换的双层绝热转换器。本发明包括第一硅芯、第二硅芯及包层；所述第一硅芯设置在第二硅芯下方；所述第一硅芯与第二硅芯四周均设置包层；所述第一硅芯与第二硅芯的折射率均为nSi＝3.455；所述第二硅芯厚度为h2＝200nm，宽度为W＝1μm；所述第一硅芯厚度为h1＝200nm，宽度为w＝2Wside+W，其中Wside为侧肋宽度；入射光束波长设置为1.55μm；沿光束传播方向，所述第一硅芯包括依次连接的输入端、绝热模式转换器及输出端，实现TE2模式和TM1模式之间转换。

公开(公告)号：CN118859407A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202411148915.7

申请日：2024-08-21

Applicant: 南通大学

Inventor： 梁图禄 ,  肖子晔 ,  林琛皓 ,  李思熠 ,  王白羽 ,  周宇轩 ,  曹钲宇 ,  张恩硕 ,  倪尉祥 ,  时硕

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/14 ,  G02B6/122

Abstract: 本发明属于集成光电子技术领域，具体涉及一种TE4模式和TM1模式之间转换的双层绝热转换器。本发明包括第一硅芯、第二硅芯及包层；第一硅芯设置在第二硅芯下方；第一硅芯与第二硅芯四周均设置包层；第一硅芯与第二硅芯的折射率均为nSi＝3.455；第二硅芯厚度为h2＝200nm，宽度为W＝1μm；第一硅芯厚度为h1＝200nm，宽度为w＝2Wside+W，其中Wside为侧肋宽度；入射光束波长设置为1.55μm；沿光束传播方向，第一硅芯包括依次连接的输入端、第一绝热波导、第二绝热波导、第三绝热波导、第四绝热波导、第五绝热波导、第六绝热波导、第七绝热波导、第八绝热波导、第九绝热波导、第十绝热波导及输出端。本发明实现TE4模式和TM1模式之间的转换传输。

公开(公告)号：CN118795597A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202411148912.3

申请日：2024-08-21

Applicant: 南通大学

Inventor： 梁图禄 ,  肖子晔 ,  林琛皓 ,  何云 ,  王白羽 ,  周宇轩 ,  曹钲宇 ,  张恩硕 ,  倪尉祥 ,  时硕

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/14 ,  G02B6/122

Abstract: 本发明属于集成光电子技术领域，具体涉及一种TE6模式和TM1模式之间转换的双层绝热转换器。本发明包括第一硅芯、第二硅芯及包层；第一硅芯设置在第二硅芯下方；第一硅芯与第二硅芯四周均设置包层；沿光束传播方向，第一硅芯包括依次连接的输入端、第一绝热波导、第二绝热波导、第三绝热波导、第四绝热波导、第五绝热波导、第六绝热波导、第七绝热波导、第八绝热波导、第九绝热波导、第十绝热波导、第十一绝热波导、第十二绝热波导、第十三绝热波导、第十四绝热波导、第十五绝热波导、第十六绝热波导及输出端；当TE6模式从输入端输入，在输出端转换为TM1模式输出。本发明双层绝热模式转换器中实现TE6模式和TM1模式之间的转换传输。

公开(公告)号：CN118655656A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202410876081.5

申请日：2024-07-02

Applicant: 南通大学

Inventor： 梁图禄 ,  肖子晔 ,  林琛皓 ,  张恩硕 ,  倪尉祥 ,  时硕 ,  何云 ,  周宇轩 ,  曹钲宇

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/12 ,  G02B6/14 ,  G02B6/126

Abstract: 本发明属于集成光电子技术领域，具体涉及一种高效的绝热模式转换器。本发明包括下包层、上包层及硅芯，下包层的上端设置硅芯，硅芯的四周设置上包层，沿光束传播方向，硅芯包括依次连接的输入端、第一绝热锥形波导、第二绝热锥形波导、第三绝热锥形波导、第四绝热锥形波导、第五绝热锥形波导、第六绝热锥形波导、第七绝热锥形波导、第八绝热锥形波导、第九绝热锥形波导、第十绝热锥形波导、第十一绝热锥形波导、第十二绝热锥形波导、第十三绝热锥形波导、第十四绝热锥形波导及输出端；第一绝热锥形波导至第七绝热锥形波导的前七个绝热锥形波导长度呈递增；第八绝热锥形波导至第十四绝热锥形波导的后七个绝热锥形波导长度呈递减。

公开(公告)号：CN118778175A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202411148913.8

申请日：2024-08-21

Applicant: 南通大学

Inventor： 梁图禄 ,  肖子晔 ,  林琛皓 ,  何云 ,  王白羽 ,  周宇轩 ,  曹钲宇 ,  张恩硕 ,  倪尉祥 ,  时硕

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/14 ,  G02B6/122

Abstract: 本发明属于集成光电子技术领域，具体涉及一种TE5模式和TM2模式之间转换的双层绝热转换器。包括第一硅芯、第二硅芯及包层；第一硅芯设置在第二硅芯下方；第一硅芯与第二硅芯四周均设置包层；沿光束传播方向，第一硅芯包括依次连接的输入端、第一绝热波导、第二绝热波导、第三绝热波导、第四绝热波导、第五绝热波导、第六绝热波导、第七绝热波导、第八绝热波导、第九绝热波导、第十绝热波导、第十一绝热波导、第十二绝热波导及输出端；当TE5模式从输入端输入，在输出端转换为TM2模式输出。本发明的双层绝热模式转换器可以实现TE5模式和TM2模式之间的转换传输。本发明大幅度地减少了双层绝热模式转换器的器件尺寸，可以实现光子集成芯片中的小型化设计。

公开(公告)号：CN119247620A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202411379596.0

申请日：2024-09-30

Applicant: 南通大学

Inventor： 梁图禄 ,  肖子晔 ,  王白羽 ,  林琛皓 ,  时硕 ,  徐志超 ,  李俊贤 ,  何云 ,  周宇轩 ,  曹钲宇 ,  张恩硕 ,  倪尉祥

IPC: G02B27/00 ,  G02B6/26

Abstract: 本发明属于集成光电子技术领域，具体涉及一种基于等式修正的绝热耦合器的设计方法。本发明包括以下步骤：步骤一、通过仿真模拟获得耦合波导系统和非耦合波导系统中本征模式的有效折射率；步骤二、计算|ne‑no|‑|n2‑n1|的值；步骤三、非耦合波导系统中本征模式有效折射率的修正；步骤四、传播常数β的计算；步骤五、第一硅芯和第二硅芯之间的耦合强度κ的计算；步骤六、片段长度计算；步骤七、功率传输效率的计算以及最终器件长度的确定。本发明设计方法大幅度地减少了绝热耦合器的器件尺寸，可以实现光子集成芯片中的小型化设计。