公开(公告)号：CN113720826A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202111002728.4

申请日：2021-08-30

Applicant: 南通大学

Inventor： 方靖淮 ,  刘闯 ,  王素 ,  吴静

IPC: G01N21/65 ,  C23C14/04 ,  C23C14/14 ,  C23C14/24 ,  C23C28/02 ,  C25D3/48 ,  C25D5/34 ,  C25D5/02

Abstract: 本发明提供了一种基于V型腔阵列表面的可控电镀法在制备高灵敏SERS基底中的应用，包括：1)制备电镀模板，采用V型腔体结构的AAO模板，以固定角度及恒定速率蒸镀10nm铬和120nm银，形成一层紧密结合的AAO银膜电镀层；2)制备电镀液，配制3.3mM氯金酸和0.1M氢氟酸的混合液；3)电化学可控组装，采用三电极的电化学工作站，电镀模板作为工作电极，铂片电极作为对电极，Ag/AgCl2作为参比电极，在0.1mA/cm2的恒电流密度下进行沉积生长并记录。本发明中的金纳米粒子在V型腔阵列表面可实现定向可控沉积，且获得的高灵敏SERS基底可达到单分子检测水平，对R6G的检测限可低至10‑18M。

公开(公告)号：CN113720826B

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202111002728.4

申请日：2021-08-30

Applicant: 南通大学

Inventor： 方靖淮 ,  刘闯 ,  王素 ,  吴静

IPC: G01N21/65 ,  C23C14/04 ,  C23C14/14 ,  C23C14/24 ,  C23C28/02 ,  C25D3/48 ,  C25D5/34 ,  C25D5/02

Abstract: 本发明提供了一种基于V型腔阵列表面的可控电镀法在制备高灵敏SERS基底中的应用，包括：1)制备电镀模板，采用V型腔体结构的AAO模板，以固定角度及恒定速率蒸镀10nm铬和120nm银，形成一层紧密结合的AAO银膜电镀层；2)制备电镀液，配制3.3mM氯金酸和0.1M氢氟酸的混合液；3)电化学可控组装，采用三电极的电化学工作站，电镀模板作为工作电极，铂片电极作为对电极，Ag/AgCl2作为参比电极，在0.1mA/cm2的恒电流密度下进行沉积生长并记录。本发明中的金纳米粒子在V型腔阵列表面可实现定向可控沉积，且获得的高灵敏SERS基底可达到单分子检测水平，对R6G的检测限可低至10‑18M。