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公开(公告)号：CN118888521A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410979077.1
申请日：2024-07-22
Applicant: 南通大学
IPC: H01L23/34 , H01L23/367 , H01L23/433
Abstract: 本发明提供一种基于宽带半导体的腔增强激光冷却芯片的方法、以及半导体芯片，该方法首先在ZnO中掺杂受主杂质，根据受主杂质确定激光波长，然后在半导体的SiO2隔离层上刻蚀出闭合回路的凹槽，将掺杂后的ZnO熔融到凹槽内，形成一条闭合光纤；基于ZnO的折射率大于SiO2的折射率，激光耦合在凹槽内部不断全反射，持续进行反斯托克斯的过程，实现腔内增强冷却。本发明能够起到腔内增强的冷却效果，是一种更为先进、高效的散热及冷却技术。
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