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公开(公告)号：CN102280139B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201110096051.5
申请日：2006-05-09
Applicant: 南泰若股份有限公司
CPC classification number: G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C13/0002 , G11C2213/16 , G11C2213/19 , G11C2213/35 , G11C2213/79
Abstract: 一种存储器阵列包括多个存储器单元，每个单元接收位线、第一字线和第二字线。每个存储器单元包括单元选择电路，该电路允许存储器单元被选择。每个存储器单元还包括双端开关器件，该器件包括与纳米管制品电连通的第一和第二导电端子。存储器阵列还包括存储器操作电路，该电路可操作地耦合于每个单元的位线、第一字线和第二字线。该电路可通过激活适当的线来选择单元，并且可向适当的线施加电刺激来可重新编程地改变第一和第二端子之间纳米管制品的相对电阻。相对电阻对应于存储器单元的信息状态。
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公开(公告)号：CN101253628B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200680024939.5
申请日：2006-05-09
Applicant: 南泰若股份有限公司
IPC: H01L27/00
Abstract: 双端开关器件包括第一和第二导电端子以及纳米管制品。所述纳米管制品具有多个纳米管，并且与第一和第二导电端子均永久性地直接物理接触。该双端开关器件还包括与第一和第二导电端子中至少一个电连通的刺激电路。该刺激电路被配置为在第一导电端子和第二导电端子之间形成第一电压差，从而使得第一和第二导电端子之间的纳米管制品的电阻从相对较低的电阻改变到相对较高电阻。该刺激电路被配置为在第一导电端子和第二导电端子之间形成第二电压差，从而使得第一和第二导电端子之间的纳米管制品的电阻从相对较高电阻改变到相对较低电阻。述第一和第二导电端子之间的纳米管制品的所述相对较高电阻对应于双端开关器件的第一状态，而第一和第二导电端子之间的纳米管制品的相对较低电阻对应于所述双端开关器件的第二状态。双端开关器件的所述第一和第二状态是非易失性的。
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公开(公告)号：CN102280139A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110096051.5
申请日：2006-05-09
Applicant: 南泰若股份有限公司
CPC classification number: G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C13/0002 , G11C2213/16 , G11C2213/19 , G11C2213/35 , G11C2213/79
Abstract: 一种存储器阵列包括多个存储器单元，每个单元接收位线、第一字线和第二字线。每个存储器单元包括单元选择电路，该电路允许存储器单元被选择。每个存储器单元还包括双端开关器件，该器件包括与纳米管制品电连通的第一和第二导电端子。存储器阵列还包括存储器操作电路，该电路可操作地耦合于每个单元的位线、第一字线和第二字线。该电路可通过激活适当的线来选择单元，并且可向适当的线施加电刺激来可重新编程地改变第一和第二端子之间纳米管制品的相对电阻。相对电阻对应于存储器单元的信息状态。
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公开(公告)号：CN102176456A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110051659.6
申请日：2006-05-09
Applicant: 南泰若股份有限公司
IPC: H01L27/112 , H01L21/8239 , G11C13/00 , G11C17/16
CPC classification number: H01L27/112 , B82Y10/00 , G11C13/0002 , G11C13/025 , G11C17/16 , G11C17/165 , G11C2213/19 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/1052 , Y10S977/943
Abstract: 双端开关器件包括第一和第二导电端子以及纳米管制品。所述制品具有至少一个纳米管，并且与第一和第二端子的每个的至少一部分重叠。该器件还包括与第一和第二端子中至少一个电连通的刺激电路。该电流能够向第一和第二端子中至少一个施加第一和第二电刺激以将第一和第二端子之间的器件相对电阻在相对较高电阻与相对较低电阻之间变化。第一和第二端子之间的相对较高电阻对应于该器件的第一状态，第一和第二端子之间的相对较低电阻对应于该器件的第二状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102176456B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201110051659.6
申请日：2006-05-09
Applicant: 南泰若股份有限公司
IPC: H01L27/112 , H01L21/8239 , G11C13/00 , G11C17/16
CPC classification number: H01L27/112 , B82Y10/00 , G11C13/0002 , G11C13/025 , G11C17/16 , G11C17/165 , G11C2213/19 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/1052 , Y10S977/943
Abstract: 双端开关器件包括第一和第二导电端子以及纳米管制品。所述制品具有至少一个纳米管，并且与第一和第二端子的每个的至少一部分重叠。该器件还包括与第一和第二端子中至少一个电连通的刺激电路。该电流能够向第一和第二端子中至少一个施加第一和第二电刺激以将第一和第二端子之间的器件相对电阻在相对较高电阻与相对较低电阻之间变化。第一和第二端子之间的相对较高电阻对应于该器件的第一状态，第一和第二端子之间的相对较低电阻对应于该器件的第二状态。
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公开(公告)号：CN101484997B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200680025020.8
申请日：2006-05-09
Applicant: 南泰若股份有限公司
IPC: H01L29/78
Abstract: 一种存储器阵列包括多个存储器单元，每个单元接收位线、第一字线和第二字线。每个存储器单元包括单元选择电路，该电路允许存储器单元被选择。每个存储器单元还包括双端开关器件，该器件包括与纳米管制品电连通的第一和第二导电端子。存储器阵列还包括存储器操作电路，该电路可操作地耦合于每个单元的位线、第一字线和第二字线。该电路可通过激活适当的线来选择单元，并且可向适当的线施加电刺激来可重新编程地改变第一和第二端子之间纳米管制品的相对电阻。相对电阻对应于存储器单元的信息状态。
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公开(公告)号：CN101253628A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200680024939.5
申请日：2006-05-09
Applicant: 南泰若股份有限公司
IPC: H01L27/00
Abstract: 双端开关器件包括第一和第二导电端子以及纳米管制品。所述制品具有至少一个纳米管，并且与第一和第二端子的每个的至少一部分重叠。该器件还包括与第一和第二端子中至少一个电连通的刺激电路。该电流能够向第一和第二端子中至少一个施加第一和第二电刺激以将第一和第二端子之间的器件相对电阻在相对较高电阻与相对较低电阻之间变化。第一和第二端子之间的相对较高电阻对应于该器件的第一状态，第一和第二端子之间的相对较低电阻对应于该器件的第二状态。
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公开(公告)号：CN101484997A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200680025020.8
申请日：2006-05-09
Applicant: 南泰若股份有限公司
IPC: H01L29/78
Abstract: 一种存储器阵列包括多个存储器单元，每个单元接收位线、第一字线和第二字线。每个存储器单元包括单元选择电路，该电路允许存储器单元被选择。每个存储器单元还包括双端开关器件，该器件包括与纳米管制品电连通的第一和第二导电端子。存储器阵列还包括存储器操作电路，该电路可操作地耦合于每个单元的位线、第一字线和第二字线。该电路可通过激活适当的线来选择单元，并且可向适当的线施加电刺激来可重新编程地改变第一和第二端子之间纳米管制品的相对电阻。相对电阻对应于存储器单元的信息状态。
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