公开(公告)号：CN116053330A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202211599534.1

申请日：2022-12-12

Applicant: 南昌大学

Inventor： 于天宝 ,  苏小云

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及光伏技术领域，尤其涉及一种新型PERC太阳能电池及其制备方法。太阳能电池包括层叠设置的局部正极、正极面减反射层、氧化硅层、掺杂层、P型硅衬底、钝化层、负极面减反射层、局部宽带隙化合物选择传输层或具有局部钝化层的局部宽带隙化合物选择传输层、局部负极。本发明通过对界面附近的良好钝化确保电荷载流子不会在接触处复合，而良好的载流子选择性接触决定了电荷载流子在阻挡相反类型的电荷载流子的界面处聚集的最大量。本发明使用宽带隙化合物作为载流子选择性接触，替代金属和硅衬底的直接接触，克服了PERC电池局部金属接触复合损耗高这一缺点，提高了短路电流密度和开路电压。

公开(公告)号：CN116314438A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202211607342.0

申请日：2022-12-14

Applicant: 南昌大学

Inventor： 于天宝 ,  苏小云

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明涉及光伏技术领域，尤其涉及一种具透明导电氧化物的晶体硅太阳能电池及其制备方法。所述晶体硅太阳能电池包括层叠设置的局部正极、透明导电氧化物层、第一选择传输层、第一钝化层、n型硅衬底、第二钝化层、第二选择传输层、负极。通过使用原子层沉积法(ALD)制备掺杂氧化锌透明导电氧化物，该生产工艺简单，成本低，无毒性，可见光区域透射率高、导电性好，不会产生溅射损伤，是价格昂贵的氧化铟锡的潜在替代物。将该透明导电氧化物用于制备免掺杂晶体硅太阳能电池，可以克服磁控溅射沉积TCO对CSC/Si异质结的等离子损伤以及ITO的高成本问题，并且避免掺杂非晶硅的使用，有效降低传统晶体硅太阳能电池的生产成本。