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公开(公告)号：CN102400220B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201110395292.X
申请日：2011-12-02
Applicant: 南昌大学
Abstract: 一种自诱导化学气相沉积法制备氧化钛纳米线的方法，其特征是以TiCl4作为Ti源，以O2作为O源，以SiH4作为Si源，以N2为稀释气体和保护气氛；首先在玻璃基板上生成硅化钛薄膜层；然后在上述硅化钛薄膜层上以热氧化法原位生长高密度的单晶氧化钛纳米线；将样品在N2保护中自然冷却到室温。本发明对设备要求低，产量大，效率高；可在各种固态基板上方便制备氧化钛纳米线，成功解决了纳米线的固载化问题；并可通过对制备条件改变，可得到各种形貌的纳米线和不同晶相组成的纳米线。
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公开(公告)号：CN102400220A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110395292.X
申请日：2011-12-02
Applicant: 南昌大学
Abstract: 一种自诱导化学气相沉积法制备氧化钛纳米线的方法，其特征是以TiCl4作为Ti源，以O2作为O源，以SiH4作为Si源，以N2为稀释气体和保护气氛；首先在玻璃基板上生成硅化钛薄膜层；然后在上述硅化钛薄膜层上以热氧化法原位生长高密度的单晶氧化钛纳米线；将样品在N2保护中自然冷却到室温。本发明对设备要求低，产量大，效率高；可在各种固态基板上方便制备氧化钛纳米线，成功解决了纳米线的固载化问题；并可通过对制备条件改变，可得到各种形貌的纳米线和不同晶相组成的纳米线。
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