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公开(公告)号：CN114199929B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202111358367.7
申请日：2021-11-16
Applicant: 南昌大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明公开了一种虹吸式流体比热容测量方法，该测量方法所采用的装置包括用于容纳混合流体的混合容器、用于盛装待测流体的流体容器、对流体容器进行加热恒温的控温加热机构、雾化喷头、与雾化喷头进口连通的两组进管、各单元的测温元件以及温度显示器。本发明方法利用虹吸效应实现工作流体和待测流体快速、充分混合，测量出工作流体、待测流体和混合后流体的温度及待测流体和混合后流体的质量，根据热力学第一定律实现待测流体比热容的测定。该测量方法中虹吸的待测流体被高速工作流体冲击形成雾化，冷热流体热交换充分，具有装置结构简易，物理原理清晰，数据处理简单，响应时间快和误差小等优点，适用于流体比热容的精确测定。
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公开(公告)号：CN113299551A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110457710.7
申请日：2021-04-27
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L21/306 , B81C1/00
Abstract: 本发明提供了一种调控半导体腐蚀区域的方法，属于纳米半导体材料技术领域；包括：将氢氟酸和金属盐溶液混合，得到沉积液；将氢氟酸和氧化剂混合，得到腐蚀液；将半导体衬底浸入沉积液中进行沉积；沉积后得到的衬底进行处理，使得衬底表面湿润状态不同；再进行腐蚀，得到纳米半导体材料。本发明通过调控沉积后衬底的表面浸润状态，使得腐蚀区域既可以与金属的覆盖区域完全吻合，也可以使腐蚀区域大于金属的覆盖区域，从而可以根据不同需要使得纳米半导体材料具有优异的光电、热电及电化学性能。实施例的结果显示，干燥处理后制备的纳米半导体材料的腐蚀区域与金属的覆盖区域完全吻合，纳米线阵列较为致密且均匀。
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公开(公告)号：CN117880672A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311825104.1
申请日：2023-12-27
Applicant: 南昌大学
IPC: H04R1/02
Abstract: 本发明公开了一种基于柔性电容式压力传感器的声音信号增强装置，涉及无线通信技术领域，包括底座，底座上设有空心圆盘，空心圆盘内设有振动装置，振动装置上设有压力传感器，压力传感器上设有重物压块，重物压块产生的压强可直接作用于压力传感器上；空心圆盘上设有扬声装置，重物压块、扬声装置均可放大输入的声音信号；该种基于柔性电容式压力传感器的声音信号增强装置，能够将微弱声音信号进行增强，再将声音信号转化为电学信号，便于对微弱声音信号的识别与监测。
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公开(公告)号：CN113299551B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202110457710.7
申请日：2021-04-27
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L21/306 , B81C1/00
Abstract: 本发明提供了一种调控半导体腐蚀区域的方法，属于纳米半导体材料技术领域；包括：将氢氟酸和金属盐溶液混合，得到沉积液；将氢氟酸和氧化剂混合，得到腐蚀液；将半导体衬底浸入沉积液中进行沉积；沉积后得到的衬底进行处理，使得衬底表面湿润状态不同；再进行腐蚀，得到纳米半导体材料。本发明通过调控沉积后衬底的表面浸润状态，使得腐蚀区域既可以与金属的覆盖区域完全吻合，也可以使腐蚀区域大于金属的覆盖区域，从而可以根据不同需要使得纳米半导体材料具有优异的光电、热电及电化学性能。实施例的结果显示，干燥处理后制备的纳米半导体材料的腐蚀区域与金属的覆盖区域完全吻合，纳米线阵列较为致密且均匀。
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公开(公告)号：CN116773603A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310752721.7
申请日：2023-06-25
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明涉及一种基于电学信号的味觉传感器、制备方法及其检测方法。味觉传感器器件结构由沉积在衬底上的一个金属/金属氧化物功能电极和三个Ag/AgCl电极构成，其中金属层和Ag电极通过蒸镀沉积在衬底上，并由电化学方法在上面形成金属氧化物功能层和AgCl层，味觉模拟和识别功能通过测量金属/金属氧化物功能电极和Ag/AgCl电极间电位以及另外两个Ag/AgCl电极间的电导和交流阻抗实现。本发明的味觉传感器具有制备流程简易、测量响应快、应用广泛等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114203805A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111336491.3
申请日：2021-11-12
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种二维/三维半导体异质结及其普适性制备方法，属于半导体异质结材料制备领域。本发明的半导体异质结例如MoS2/FeS,MoS2/CoS,MoS2/MnS,MoS2/ZnS,Mo(SxSe1‑x)2/ZnSxSe1‑x，Mo(SxSe1‑x)2/CdSxSe1‑x(x代表原子百分比)等。以下用TMDCs代表层状过渡金属硫属化合物MoS2和Mo(SxSe1‑x)2，用XN代表FeS、CoS、MnS、ZnS、ZnSxSe1‑x、CdSxSe1‑x。本发明提供的制备方法为化学气相沉积法，采用Si/SiO2作为衬底，所制备的异质结表面均匀，单晶性好，TMDCs厚度约2nm，XN的厚度为100至200nm。
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公开(公告)号：CN114199929A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111358367.7
申请日：2021-11-16
Applicant: 南昌大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明公开了一种虹吸式流体比热容测量方法，该测量方法所采用的装置包括用于容纳混合流体的混合容器、用于盛装待测流体的流体容器、对流体容器进行加热恒温的控温加热机构、雾化喷头、与雾化喷头进口连通的两组进管、各单元的测温元件以及温度显示器。本发明方法利用虹吸效应实现工作流体和待测流体快速、充分混合，测量出工作流体、待测流体和混合后流体的温度及待测流体和混合后流体的质量，根据热力学第一定律实现待测流体比热容的测定。该测量方法中虹吸的待测流体被高速工作流体冲击形成雾化，冷热流体热交换充分，具有装置结构简易，物理原理清晰，数据处理简单，响应时间快和误差小等优点，适用于流体比热容的精确测定。
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公开(公告)号：CN208008947U
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201820145550.6
申请日：2018-01-29
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本实用新型提供了一种可连续进样生长过渡金属硫属化合物晶体的实验装置，包含反应腔体，所述反应腔体分为左右两部分，左边为低温区，右边为高温区，所述反应腔体低温区固定有格子支架，所述格子支架将反应腔体分成若干独立空间，所述格子支架上放置有内管，所述内管中承载有反应前驱体，所述内管左端通过推动杆连接有磁性移动器，所述内管可在格子支架上左右移动。将反应腔体用格子支架分割成多个独立空间，每个独立空间都放置承载有反应前驱体的内管，通过分批次将内管中的反应前驱体移动至高温区，达到不打开反应腔体即可连续装配前驱体的目的，保证了化学气相沉积法生长构成异质结的良好性能。
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公开(公告)号：CN216958082U
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202123024558.8
申请日：2021-12-02
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L41/113 , H01L41/193
Abstract: 本实用新型公开了一种被动式的多功能温度压力测量装置，包含衬底、下电极、柔性功能材料层及上电极四个部分，所述衬底的上表面为粗糙表面，所述上电极为叠加的两个不同金属材料层。该装置基于金属‑柔性功能材料‑金属的层状结构，并通过金属电极间电压实现同时对温度及压力等参数的测量。本实用新型工作时输出的电压信号由环境中压力和温度转换得到，无需额外提能量，能够实现长时间稳定工作。装置的基本工作单元可以自由阵列化排布，实现多种探测功能。
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公开(公告)号：CN216630348U
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202122690803.2
申请日：2021-11-04
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本实用新型公开了一种电压调控的溶液离子选择透过装置，包含衬底、纳米管道、水槽、微管道、栅极绝缘层和栅电极六个部分；所述纳米管道的两侧均连接有水槽，一侧水槽通过微管道注入溶液，经纳米管道选择透过离子后，从另一侧水槽及微管道流出；所述栅电极连接外加电源，用于调节栅极电压。该装置基于一种包含栅电极的纳米管道结构，并通过外加栅极电压实现对纳米管道中离子的选择性通过。本实用新型的离子选择通过电压调控，可以随时打开和关闭并对离子透过的类型进行选择。
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