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公开(公告)号：CN109400641A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811213616.1
申请日：2018-10-18
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种胶体量子点改性方法，包括：制备胶体量子点，胶体量子点为表面含有有机配体的钙钛矿型卤化物量子点，且有机配体碳链中含有不饱和键；将胶体量子点涂敷于基底上；将涂敷有胶体量子点的基底置于等离子体设备中，使用等离子体对胶体量子点辐照预设时间，完成对胶体量子点的改性。其通过使用等离子体对胶体量子点辐照的方法诱导量子点表面的有机配体发生碳碳双键聚合，聚合的有机配体可以对胶体量子点进行保护，从而提高胶体量子点的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109266343A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811213746.5
申请日：2018-10-18
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种卤化铅铯钙钛矿量子点胶体及量子点荧光粉制备方法，其中，量子点胶体制备方法中包括：按照比例混合碳酸铯、油酸和十八烯，得到油酸铯溶液；按照比例混合卤化铅、油酸和十八烯得到溶液后，添加3-氨基丙基三乙氧基硅烷嫁接制备得到卤化铅前驱体；将油酸铯溶液注入卤化铅前驱体容器中，经离心获得粗量子点；将粗量子点水解预设时间后离心，获得有机硅包覆的量子点，经环己烷洗涤之后将其溶解在甲苯溶液中获得有机硅包覆的量子点胶体；将有机硅包覆的量子点胶体，根据使用需求与乙基纤维素按比例混合获得卤化铅铯钙钛矿量子点胶体，其分别采用了3-氨基丙基三乙氧基硅烷和乙基纤维素双层化学成键包覆，得到高稳定性的卤化铅铯钙钛矿量子点胶体。
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公开(公告)号：CN109266343B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201811213746.5
申请日：2018-10-18
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种卤化铅铯钙钛矿量子点胶体及量子点荧光粉制备方法，其中，量子点胶体制备方法中包括：按照比例混合碳酸铯、油酸和十八烯，得到油酸铯溶液；按照比例混合卤化铅、油酸和十八烯得到溶液后，添加3‑氨基丙基三乙氧基硅烷嫁接制备得到卤化铅前驱体；将油酸铯溶液注入卤化铅前驱体容器中，经离心获得粗量子点；将粗量子点水解预设时间后离心，获得有机硅包覆的量子点，经环己烷洗涤之后将其溶解在甲苯溶液中获得有机硅包覆的量子点胶体；将有机硅包覆的量子点胶体，根据使用需求与乙基纤维素按比例混合获得卤化铅铯钙钛矿量子点胶体，其分别采用了3‑氨基丙基三乙氧基硅烷和乙基纤维素双层化学成键包覆，得到高稳定性的卤化铅铯钙钛矿量子点胶体。
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公开(公告)号：CN109400641B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201811213616.1
申请日：2018-10-18
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种胶体量子点改性方法，包括：制备胶体量子点，胶体量子点为表面含有有机配体的钙钛矿型卤化物量子点，且有机配体碳链中含有不饱和键；将胶体量子点涂敷于基底上；将涂敷有胶体量子点的基底置于等离子体设备中，使用等离子体对胶体量子点辐照预设时间，完成对胶体量子点的改性。其通过使用等离子体对胶体量子点辐照的方法诱导量子点表面的有机配体发生碳碳双键聚合，聚合的有机配体可以对胶体量子点进行保护，从而提高胶体量子点的稳定性。
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公开(公告)号：CN109560206B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201811213615.7
申请日：2018-10-18
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种胶体量子点薄膜图案化方法，包括：S1、制备胶体量子点，胶体量子点为表面含有有机配体的钙钛矿型卤化物量子点，且有机配体碳链中含有不饱和键；S2、将胶体量子点涂敷于基底上，形成胶体量子点薄膜；S3、在胶体量子点薄膜表面设置一预先配置的掩膜结构，掩膜结构中包括通孔区和掩膜区；S4、将步骤S3中的结构置于等离子体设备中，使用等离子体对胶体量子点进行辐照，完成对通孔区对应的胶体量子点的改性；S5、采用化学腐蚀的方法去除掩膜区对应的胶体量子点，完成胶体量子点薄膜的图案化，其操作简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN109560206A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811213615.7
申请日：2018-10-18
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种胶体量子点薄膜图案化方法，包括：S1制备胶体量子点，胶体量子点为表面含有有机配体的钙钛矿型卤化物量子点，且有机配体碳链中含有不饱和键；S2将胶体量子点涂敷于基底上，形成胶体量子点薄膜；S3在胶体量子点薄膜表面设置一预先配置的掩膜结构，掩膜结构中包括通孔区和掩膜区；S4将步骤S3中的结构置于等离子体设备中，使用等离子体对胶体量子点进行辐照，完成对通孔区对应的胶体量子点的改性；S5采用化学腐蚀的方法去除掩膜区对应的胶体量子点，完成胶体量子点薄膜的图案化，其操作简单，成本低廉。
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