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公开(公告)号:CN106749017B
公开(公告)日:2019-05-24
申请号:CN201611046686.3
申请日:2016-11-23
Applicant: 南昌大学
IPC: C07D221/14
Abstract: 本发明公开了一种3,6位卤原子取代的1,8‑萘酰亚胺的合成方法,其合成方法是在1,8‑萘酰亚胺的3,6位引入卤素原子,以3,6‑二氨基‑1,8‑萘酰亚胺、亚硝酸钠、卤化亚铜为原料,3,6‑二氨基‑1,8‑萘酰亚胺与亚硝酸钠摩尔比在1:1~10,3,6‑二氨基‑1,8‑萘酰亚胺与卤化亚铜摩尔比在1:1~1:10,在混合溶剂下,低温‑10~10℃下,反应1~48h,得到3,6位卤原子取代的1,8‑萘酰亚胺。本发明通过温和条件大量制备3,6位被卤素原子取代的1,8‑萘酰亚胺,具有分离提纯简便,反应条件温和的优点。
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公开(公告)号:CN107501527A
公开(公告)日:2017-12-22
申请号:CN201710644393.3
申请日:2017-08-01
Applicant: 南昌大学
IPC: C08G61/12
CPC classification number: C08G61/126 , C08G2261/124 , C08G2261/1412 , C08G2261/18 , C08G2261/228 , C08G2261/3223 , C08G2261/3241 , C08G2261/3243 , C08G2261/354 , C08G2261/414 , C08G2261/91
Abstract: 一类基于1,8-萘酰亚胺的高迁移率半导体聚合物及合成方法,结构式:步骤:(1)3,6-二溴-1,8-萘酰亚胺合成;(2)将含电子给体单元Ar的双锡试剂单体与3,6-二溴-1,8-萘酰亚胺在金属催化剂下反应,摩尔比为1﹕1;按溶剂与原料摩尔比300~400﹕1的量、催化剂与原料摩尔比0.02~0.1﹕1的量,加入溶剂和催化剂,无水无氧,反应温度100℃到溶剂回流温度。本发明聚合物对太阳光有较好的吸收,具有较好的光伏性能,成膜性好,迁移率高。
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公开(公告)号:CN106749017A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201611046686.3
申请日:2016-11-23
Applicant: 南昌大学
IPC: C07D221/14
CPC classification number: C07D221/14
Abstract: 本发明公开了一种3,6位卤原子取代的1,8‑萘酰亚胺的合成方法,其合成方法是在1,8‑萘酰亚胺的3,6位引入卤素原子,以3,6‑二氨基‑1,8‑萘酰亚胺、亚硝酸钠、卤化亚铜为原料,3,6‑二氨基‑1,8‑萘酰亚胺与亚硝酸钠摩尔比在1:1~10,3,6‑二氨基‑1,8‑萘酰亚胺与卤化亚铜摩尔比在1:1~1:10,在混合溶剂下,低温‑10~10℃下,反应1~48h,得到3,6位卤原子取代的1,8‑萘酰亚胺。本发明通过温和条件大量制备3,6位被卤素原子取代的1,8‑萘酰亚胺,具有分离提纯简便,反应条件温和的优点。
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