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公开(公告)号：CN118540973A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410995419.9
申请日：2024-07-24
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明提供钙钛矿‑硫化铅量子点两端叠层太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。该方法包括：在透明导电电极ITO或FTO上依次生长SnO2为第一电子传输层、钙钛矿薄膜为宽带隙钙钛矿吸收层、NiOX为第一空穴传输层、MoO3为缓冲阻挡层、ITO作为电荷复合层、ZnO或AZO为第二电子传输层、PbS‑IBr为窄带隙硫化铅量子点吸收层、PbS‑EDT为第二空穴传输层及金属电极。本发明将宽带隙钙钛矿材料与窄带隙硫化铅量子点材料级联，促进两端叠层太阳能电池对太阳光光谱中低能量光子的充分吸收，产生更多的光生载流子；同时构建全无机中间层结构，不仅显著提高电池性能的稳定性，还增强了红外光的透过率，最终实现两端叠层电池整体光电转换效率的提升。
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公开(公告)号：CN118475138B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410926535.5
申请日：2024-07-11
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种n‑i‑p‑i‑n型可见‑红外双波段光电探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域。该方法包括：在衬底上生长TiO2薄膜作为第一电子传输层；在第一电子传输层上生长Sb2S3薄膜作为第一本征吸收层；基于固相配体交换法在第一本征吸收层上形成PbS‑EDT量子点薄膜作为空穴传输层；基于液相配体交换法在空穴传输层上形成PbS‑IBr量子点薄膜作为第二本征吸收层；第二本征吸收层上沉积ZnO薄膜作为第二电子传输层；暴露部分导电玻璃衬底，制备分别接触第二电子传输层和衬底的两组金属电极。本发明实现了在单个器件中进行电压偏置调节切换的可见与红外双波段光电探测，极大地扩宽了光谱探测范围及其应用领域。
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公开(公告)号：CN118540973B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410995419.9
申请日：2024-07-24
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明提供钙钛矿‑硫化铅量子点两端叠层太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。该方法包括：在透明导电电极ITO或FTO上依次生长SnO2为第一电子传输层、钙钛矿薄膜为宽带隙钙钛矿吸收层、NiOX为第一空穴传输层、MoO3为缓冲阻挡层、ITO作为电荷复合层、ZnO或AZO为第二电子传输层、PbS‑IBr为窄带隙硫化铅量子点吸收层、PbS‑EDT为第二空穴传输层及金属电极。本发明将宽带隙钙钛矿材料与窄带隙硫化铅量子点材料级联，促进两端叠层太阳能电池对太阳光光谱中低能量光子的充分吸收，产生更多的光生载流子；同时构建全无机中间层结构，不仅显著提高电池性能的稳定性，还增强了红外光的透过率，最终实现两端叠层电池整体光电转换效率的提升。
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公开(公告)号：CN118475138A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410926535.5
申请日：2024-07-11
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种n‑i‑p‑i‑n型可见‑红外双波段光电探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域。该方法包括：在衬底上生长TiO2薄膜作为第一电子传输层；在第一电子传输层上生长Sb2S3薄膜作为第一本征吸收层；基于固相配体交换法在第一本征吸收层上形成PbS‑EDT量子点薄膜作为空穴传输层；基于液相配体交换法在空穴传输层上形成PbS‑IBr量子点薄膜作为第二本征吸收层；第二本征吸收层上沉积ZnO薄膜作为第二电子传输层；暴露部分导电玻璃衬底，制备分别接触第二电子传输层和衬底的两组金属电极。本发明实现了在单个器件中进行电压偏置调节切换的可见与红外双波段光电探测，极大地扩宽了光谱探测范围及其应用领域。
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