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公开(公告)号：CN111441083A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010217070.8
申请日：2020-03-25
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明专利公开了一种生产低位错密度铸造单晶锭或多晶硅锭时的籽晶铺设方法，包括以下步骤：S1，直拉单晶圆棒去除边皮后得到无圆角的单晶方棒；S2，将所述单晶方棒切割成大籽晶块；S3，将所述大籽晶块再次切割成小籽晶块或籽晶条；S4，将所述小籽晶块或者籽晶条铺设在坩埚底部，形成完整的籽晶层；S5，在所述籽晶层上放置原生多晶硅料和头尾边等循环料；S6，将所述装满多晶硅料的坩埚放入铸锭炉中，采用半融工艺得到铸造单晶硅锭或多晶硅锭；S7，将所述硅锭进行开方，开方后得到小方锭；S8，将所述小方锭进行切片后得到铸造单晶硅片或多晶硅片；铺设时高籽晶和矮籽晶交替搭配，使高籽晶和矮籽晶相接触的侧面完美融合，减少了位错出现的概率。
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公开(公告)号：CN111349964A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN202010218885.8
申请日：2020-03-25
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种单晶面积占比大、位错密度低的铸造单晶硅制备方法，籽晶拼接缝理想状态下，位错源产生的概率较小；实际操作中存在一定的误差，籽晶的拼接缝放大后观察无法形成绝对的“十字型”，相同籽晶连接在一起无法形成晶界，从而产生位错源；方法包括以下步骤：S1，直拉单晶棒截掉头尾后得到直拉单晶圆棒，沿不同旋转角度去除边皮得到无圆角的单晶方棒，加工得到0°籽晶、11.5°籽晶、23°籽晶、34.5°籽晶；S2，将四种籽晶依次铺设在坩埚底部，形成完整的籽晶层，每块籽晶的八个方向不与同种籽晶相连；S3，在所述籽晶层上放置原生多晶硅料和头尾边等循环料；S4，将所述装满多晶硅料的坩埚放入铸锭炉中，采用半融工艺得到铸造单晶硅锭。
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公开(公告)号：CN111441083B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202010217070.8
申请日：2020-03-25
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明专利公开了一种生产低位错密度铸造单晶锭或多晶硅锭时的籽晶铺设方法，包括以下步骤：S1，直拉单晶圆棒去除边皮后得到无圆角的单晶方棒；S2，将所述单晶方棒切割成大籽晶块；S3，将所述大籽晶块再次切割成小籽晶块或籽晶条；S4，将所述小籽晶块或者籽晶条铺设在坩埚底部，形成完整的籽晶层；S5，在所述籽晶层上放置原生多晶硅料和头尾边等循环料；S6，将所述装满多晶硅料的坩埚放入铸锭炉中，采用半融工艺得到铸造单晶硅锭或多晶硅锭；S7，将所述硅锭进行开方，开方后得到小方锭；S8，将所述小方锭进行切片后得到铸造单晶硅片或多晶硅片；铺设时高籽晶和矮籽晶交替搭配，使高籽晶和矮籽晶相接触的侧面完美融合，减少了位错出现的概率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112458530B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202011107174.X
申请日：2020-10-16
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种底部红区短、原生位错少的铸造单晶籽晶铺设方法，包括以下步骤：将直拉单晶硅棒去除头尾、边皮、线切割得到铸造单晶籽晶，对其表面进行喷砂处理，增加其表面粗糙度；从多晶硅块或单晶硅块上切割得到厚片，对厚片表面进行喷砂，增加其表面粗糙度；在坩埚底部铺设第一厚片层；在第一厚片层上铺设铸造单晶籽晶，相邻铸造单晶籽晶之间侧面留有间隙；在每块铸造单晶籽晶上表面正中心位置铺设第二厚片层；第二厚片层上铺设厚片，厚片侧壁紧密贴合，形成第三厚片层，在第三厚片层上放置原生硅料、回收硅料等，当硅料熔化至铸造单晶籽晶层1/2位置时，制造一个垂直方向的温度梯度，从底部向上逐渐凝固得到铸造单晶硅锭。
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公开(公告)号：CN111349964B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202010218885.8
申请日：2020-03-25
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种单晶面积占比大、位错密度低的铸造单晶硅制备方法，籽晶拼接缝理想状态下，位错源产生的概率较小；实际操作中存在一定的误差，籽晶的拼接缝放大后观察无法形成绝对的“十字型”，相同籽晶连接在一起无法形成晶界，从而产生位错源；方法包括以下步骤：S1，直拉单晶棒截掉头尾后得到直拉单晶圆棒，沿不同旋转角度去除边皮得到无圆角的单晶方棒，加工得到0°籽晶、11.5°籽晶、23°籽晶、34.5°籽晶；S2，将四种籽晶依次铺设在坩埚底部，形成完整的籽晶层，每块籽晶的八个方向不与同种籽晶相连；S3，在所述籽晶层上放置原生多晶硅料和头尾边等循环料；S4，将所述装满多晶硅料的坩埚放入铸锭炉中，采用半融工艺得到铸造单晶硅锭。
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公开(公告)号：CN112458530A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011107174.X
申请日：2020-10-16
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种底部红区短、原生位错少的铸造单晶籽晶铺设方法，包括以下步骤：将直拉单晶硅棒去除头尾、边皮、线切割得到铸造单晶籽晶，对其表面进行喷砂处理，增加其表面粗糙度；从多晶硅块或单晶硅块上切割得到厚片，对厚片表面进行喷砂，增加其表面粗糙度；在坩埚底部铺设第一厚片层；在第一厚片层上铺设铸造单晶籽晶，相邻铸造单晶籽晶之间侧面留有间隙；在每块铸造单晶籽晶上表面正中心位置铺设第二厚片层；第二厚片层上铺设厚片，厚片侧壁紧密贴合，形成第三厚片层，在第三厚片层上放置原生硅料、回收硅料等，当硅料熔化至铸造单晶籽晶层1/2位置时，制造一个垂直方向的温度梯度，从底部向上逐渐凝固得到铸造单晶硅锭。
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公开(公告)号：CN212072479U
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202020180102.7
申请日：2020-02-18
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本实用新型公开了一种单晶硅棒的切割装置，包括第一电机，所述第一电机带动残齿轮旋转，所述残齿轮上端啮合连接齿条，所述齿条上端右侧设置单晶硅棒样品，顶壁右侧下端焊接有外圈支撑架，所述外圈支撑架通过带有圆柱滚子的保持架滚动连接内圈支撑架，所述内圈支撑架左侧焊接有大齿轮，所述大齿轮内啮合小齿轮，第二电机带动小齿轮旋转，所述内圈支撑架内侧固定连接有电动推杆，所述电动推杆输出端固定连接有切割刀，该实用新型通过实现单晶硅棒的间歇线性运动，从而可以有效控制单晶硅棒的切割厚度，实现单晶硅棒的厚度均匀一致，切割刀可以对单晶硅棒进行环切，使切割面的平整度大大提高，改善了切割效果。
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公开(公告)号：CN212293846U
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202020685312.1
申请日：2020-04-29
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本实用新型公开了一种生产低位错密度铸造单晶锭或多晶硅锭用的坩埚，包括底座，底座的中部上表面安装有保护架，底座的四周上表面均设置有支撑架，连接块的内侧固定有内杆，且内杆的内侧表面开设有滑槽，内杆通过滑槽与内部的滑块相互连接，且滑块的外侧下端安装有连接杆，连接杆的下侧位于固定扣的内部，卡扣的内侧设置有坩埚本体，内杆的左右两侧上端均设置有伸缩柱，密封板的内侧下表面开设有进气孔，密封板的上端设置有抽气机，且抽气机和内槽相互连接。该生产低位错密度铸造单晶锭或多晶硅锭用的坩埚，通过卡扣的使用，使该装置能够对坩埚本体进行固定，并且通过弹簧杆对卡扣的挤压力，能够使该装置对不同大小的坩埚本体进行相互匹配。
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